眾所周知，目前的硅基芯片，其制造過(guò)程都離不開光刻工藝，所以光刻機(jī)必不可少。

干式光刻機(jī)ArF Dry，最多可以實(shí)現(xiàn)65nm制程。浸潤(rùn)式光刻機(jī)ArFi可以實(shí)現(xiàn)的最小制程是7nm，而到了7nm以下，就需要EUV光刻機(jī)了。

目前國(guó)內(nèi)的芯片制造工藝，一直卡在14nm，進(jìn)入不了10nm、7nm等，很多人認(rèn)為主要是光刻機(jī)被卡住了。

畢竟之前中芯的梁孟松也是這么說(shuō)的，他說(shuō)7nm制程的研究工作，已經(jīng)全部做好，5nm制程的最大難點(diǎn)，也在進(jìn)行中，只等EUV光刻機(jī)的到來(lái)。

但其實(shí)現(xiàn)5nm，真的買到EUV光刻機(jī)就行了么，并不是的，還有一種關(guān)鍵設(shè)備非常重要，且這種關(guān)鍵設(shè)備，也是被美國(guó)禁售的。

這種關(guān)鍵設(shè)備就是多束電子束光刻機(jī)，它與EUV光刻機(jī)的作用截然不同。

這種電子束光刻機(jī)用在哪里？用在光摸膜板的制造上。

我們知道目前的芯片制造，類似于投影，先制造出光掩膜板，把電路圖刻在光掩膜板上，類似于制造一張“幻燈片底片”，而一顆高端芯片通常需要60-90塊光刻掩模，其中EUV掩模數(shù)量為5-10塊，單塊成本最高可達(dá)200萬(wàn)美元以上。

然后再利用光刻機(jī)，用光線來(lái)照射光掩膜板，將上面的圖刻錄到硅晶圓上去。

光掩膜板的精度，其實(shí)要高于芯片的精度要求的，畢竟它是底片。而制造這種光掩膜板就需要電子束光刻設(shè)備，也是不可替代的。

目前全球僅4家主要企業(yè)，能夠制造這種多束電子束光刻機(jī)，分別是日本的JEOL公司、Nuflare公司、德國(guó)的Vistec公司和奧地利的IMS（ IMS Nanofabrication GmbH）公司。其中IMS已被英特爾收購(gòu)。

這4家中，日本Nuflare 公司最牛，拿下全球90%的份額，也是唯一一家能夠具備3nm摸膜板制備能力的廠商。

而這種設(shè)備，當(dāng)然也是被禁運(yùn)的，是直接被寫入《瓦森納協(xié)定》中進(jìn)行管控的。

可見，真要實(shí)現(xiàn)5nm芯片，我們要補(bǔ)的課還非常多，不僅僅是EUV光刻機(jī)，還有這種電子束光刻機(jī)，甚至除了這兩種外，還有各種各樣的設(shè)備、材料等等。

大家別都只盯著EUV光刻機(jī)，它也不過(guò)是眾多設(shè)備中的一種，這些設(shè)備缺一不可，所以國(guó)產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)鏈加油吧，路還很漫長(zhǎng)。