眾所周知，目前硅基芯片的制造，離不開(kāi)光刻工藝。

而光刻工藝，則離不開(kāi)光刻機(jī)，而全球目前僅4家半導(dǎo)體芯片制造的光刻機(jī)廠商，分別是ASML、尼康、佳能、上海微電子。

其中ASML最牛，擁有EUV光刻機(jī)、浸潤(rùn)式光刻機(jī)、干式光刻機(jī)等各種高、中低端光刻機(jī)，份額高達(dá)80%+。

尼康第二牛，擁有除EUV光刻機(jī)之外的其它光刻機(jī)，最高水平是浸潤(rùn)式光刻機(jī)。佳能排第三，不過(guò)最高水平是干式光刻機(jī)。而上海微電子實(shí)際也能生產(chǎn)干式光刻機(jī)，但分辨率只有90nm，相對(duì)最差。

干式光刻機(jī)最高只能支持65nm芯片，浸潤(rùn)式光刻機(jī)最高能達(dá)到7nm工藝，而7nm工藝之后則需要EUV光刻機(jī)。

所以目前，國(guó)內(nèi)的光刻機(jī)，基本上都是從ASML、尼康、佳能進(jìn)口，畢竟上海微電子的光刻機(jī)，確實(shí)差那么一丟丟，從上面的市場(chǎng)份額圖也可以看到，國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)的份額沒(méi)列出來(lái)，因?yàn)榛窘咏?，沒(méi)有列的必要。

在這樣的情況之下，光刻機(jī)已經(jīng)嚴(yán)重拖了國(guó)產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)的后腿，也導(dǎo)致目前美國(guó)拿光刻機(jī)卡著國(guó)內(nèi)的芯片產(chǎn)業(yè)。

比如EUV不賣(mài)到中國(guó)來(lái)，而浸潤(rùn)式光刻機(jī)也受限， ASML的浸潤(rùn)式光刻機(jī)中，先進(jìn)的兩款不賣(mài)，只有一款落后的可以賣(mài)。而尼康的光刻機(jī)，同樣的先進(jìn)的不賣(mài)。

也在這樣的情況之下，大家都認(rèn)為，國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)必須突破，要早點(diǎn)開(kāi)發(fā)出EUV光刻機(jī)出來(lái)才行，才能夠真正打破壟斷，讓禁令成為廢紙。

不過(guò)，從目前的情況來(lái)看，國(guó)產(chǎn)芯片制造，要繞過(guò)EUV的可能性更高，為什么呢？因?yàn)橛辛艘豁?xiàng)新技術(shù)，那就是NIL納米壓印。

EUV光刻機(jī)是非常難的，ASML已經(jīng)將產(chǎn)業(yè)鏈捆綁在一起了，其它廠商很難避開(kāi)EUV產(chǎn)業(yè)鏈，生產(chǎn)出EUV光刻機(jī)出來(lái)。

但NIL納米壓印技術(shù)不同，沒(méi)有被誰(shuí)捆綁住，同時(shí)門(mén)檻相對(duì)較低，更重要的是NIL壓印技術(shù)，目前佳能已經(jīng)進(jìn)度良好，佳能表示到2025年時(shí)實(shí)現(xiàn)5nm工藝。

而國(guó)內(nèi)也有公司，目前雖然沒(méi)有達(dá)到佳能的水準(zhǔn)，但表現(xiàn)也不錯(cuò)，比如天仁微納的納米壓印設(shè)備，已經(jīng)可以在150／300mm基底面積上實(shí)現(xiàn)高精度（優(yōu)于10nm ）了。

可見(jiàn)，納米壓印技術(shù)，在國(guó)內(nèi)很可能比EUV光刻機(jī)發(fā)展的更快，也許當(dāng)國(guó)產(chǎn)EUV光刻機(jī)還沒(méi)影時(shí)，NIL納米壓印技術(shù)，就進(jìn)入5nm了。

所以正如我標(biāo)題所言，國(guó)產(chǎn)芯片制造工藝，或要繞過(guò)EUV光刻機(jī)了，不信，大家等著瞧，畢竟佳能也是這么想的。