據(jù)日本《外匯法》，對(duì)可用于軍事目的的武器等民用物品的出口進(jìn)行管制，出口需要事先獲得經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省的許可。雖然中國(guó)和其他特定國(guó)家和地區(qū)未被明確列為受監(jiān)管對(duì)象，但新增的23個(gè)項(xiàng)目將需要單獨(dú)許可證，不包括友好國(guó)家等42個(gè)國(guó)家和地區(qū)的許可證，這給中國(guó)和其他國(guó)家的出口帶來(lái)了實(shí)際困難。

日媒指出，新芯片設(shè)備出口規(guī)定是基于日本《外匯和外國(guó)貿(mào)易法》省令的修訂版，面向特定國(guó)家和地區(qū)的出口將在事實(shí)上變得困難。

與此同時(shí)，東京電子等約10家企業(yè)的對(duì)華出口預(yù)計(jì)將受到影響。

日本正式實(shí)施新芯片設(shè)備出口管制涉及的對(duì)象是在半導(dǎo)體制造中“前工序”所需的品類(lèi)，23個(gè)品類(lèi)包括極紫外（EUV）相關(guān)產(chǎn)品的制造設(shè)備，及可立體堆疊存儲(chǔ)元件的蝕刻設(shè)備等。

具體來(lái)看，日本政府新增的半導(dǎo)體方向出口管控對(duì)象明細(xì)：

• 清洗設(shè)備：半導(dǎo)體前段工藝除去表面異物的清洗設(shè)備；

• 成膜設(shè)備：利用等離子旋轉(zhuǎn)晶圓，形成原子級(jí)別膜的設(shè)備，利用EUV光掩膜的成膜設(shè)備，準(zhǔn)確形成硅膜、硅化合物膜的設(shè)備；

• 熱處理：通過(guò)熱處理，除去薄膜內(nèi)空隙的設(shè)備；

• 曝光：EUV涂覆、顯影設(shè)備，防護(hù)板(EUV光掩膜方向)生產(chǎn)設(shè)備，ArF液浸式曝光設(shè)備；

• 蝕刻：具有立體結(jié)構(gòu)的最尖端的蝕刻設(shè)備；

• 檢查：EUV光掩膜檢測(cè)設(shè)備。

中國(guó)商務(wù)部新聞發(fā)言人5月曾就此事回應(yīng)道，日本政府正式出臺(tái)針對(duì)23種半導(dǎo)體制造設(shè)備的出口管制措施，這是對(duì)出口管制措施的濫用，是對(duì)自由貿(mào)易和國(guó)際經(jīng)貿(mào)規(guī)則的嚴(yán)重背離，中方對(duì)此堅(jiān)決反對(duì)。

在日方措施公開(kāi)征求意見(jiàn)期間，中國(guó)產(chǎn)業(yè)界紛紛向日本政府提交評(píng)論意見(jiàn)，多家行業(yè)協(xié)會(huì)公開(kāi)發(fā)表聲明反對(duì)日方舉措，一些日本行業(yè)團(tuán)體和企業(yè)也以各種方式表達(dá)了對(duì)未來(lái)不確定性的擔(dān)憂。但令人遺憾的是，日方公布的措施未回應(yīng)業(yè)界合理訴求，將嚴(yán)重?fù)p害中日兩國(guó)企業(yè)利益，嚴(yán)重?fù)p害中日經(jīng)貿(mào)合作關(guān)系，破壞全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局，沖擊產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈安全和穩(wěn)定。

日方應(yīng)從維護(hù)國(guó)際經(jīng)貿(mào)規(guī)則及中日經(jīng)貿(mào)合作出發(fā)，立即糾正錯(cuò)誤做法，避免有關(guān)舉措阻礙兩國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)正常合作和發(fā)展，切實(shí)維護(hù)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈穩(wěn)定。中方將保留采取措施的權(quán)利，堅(jiān)決維護(hù)自身合法權(quán)益。