此前日本已遵從美國的要求限制23種芯片設備和材料對中國出口，如今荷蘭也宣布了最新的決定，很可能導致ASML連38納米的1980Di光刻機出口也將造成障礙，中國的芯片制造工藝可能由此被阻止在40納米以上。

美國為了阻止中國發(fā)展先進芯片產業(yè)，可謂竭盡全力，2022年下半年，美國就已要求ASML限制14納米以下的光刻機出口，然而這半年多時間以來，中國大舉擴張28納米成熟工藝產能，依靠成熟工藝滿足國內芯片的需求。

今年3-5月份的數據顯示中國的芯片產能率先反彈，中國的芯片進口量進一步減少了450億顆，顯示出成熟工藝芯片仍然能滿足國內的需求，可以成熟工藝芯片替代進口芯片，這就讓美國煩心了，由此導致美國開始拉攏日本、荷蘭進一步采取措施。

日本首先響應，日本限制對中國出口45納米以下的芯片設備和材料，不過最關鍵的還是光刻機，畢竟光刻機目前難以替代，而ASML就是光刻機的領頭羊，這次美國成功拉攏了荷蘭，促使荷蘭出臺了最新的限制條件，ASML只能遵從。

此前ASML就曾表示它能對中國出口的最先進光刻機為38納米的1980Di，這款光刻機可以通過多重曝光的方式實現28納米乃至14納米工藝，如今荷蘭進一步采取措施，ASML恐怕連這款光刻機對中國的出口也將成為問題，這已導致ASML的股價大幅下跌。

面對美國、日本荷蘭的做法，中國的芯片產業(yè)難道真的因此而被鎖死在40納米以上，恐怕未必，畢竟這幾年中國的光刻機產業(yè)鏈也在加快發(fā)展。

中國自研的28納米光刻機已在驗證當中，在更先進的光刻機技術方面，日前哈爾濱工業(yè)大學就公布了一項“捅破天”的技術“能量轉換等離子體電路”，將DPP-EUV光從原理上推向了實際，在EUV光源方面取得重大突破，哈爾濱工業(yè)大學此前還公布了"超高精干涉"等技術，為國產光刻機的關鍵技術突破提供了支持。

國產光刻機產業(yè)鏈通過共同努力還在物鏡、雙工作臺等關鍵部件方面取得了進展，國產光刻機產業(yè)鏈在進一步完善，相信在各方的共同努力下國產先進光刻機必將會變成現實。

在芯片制造的其他環(huán)節(jié)，其實中國芯片產業(yè)鏈做得更快，芯片封裝技術已達到4納米，刻蝕機達到5納米，光刻膠等材料也在加快推進到5納米，這些無不顯示出國產芯片產業(yè)鏈的快速進步。

上述這些都是基于現有的硅基芯片技術，硅基芯片技術體系掌握在美國手里，中國只能一步步追趕，真正實現趕超的希望在于更先進的光子芯片、量子芯片技術，這些先進芯片技術將趕超現有的硅基芯片技術，而且中國在這些先進芯片技術方面從一開始就注重國產產業(yè)鏈的自主研發(fā)，將不再受制于海外。

筆者認為荷蘭、日本跟進美國的芯片限制，固然會對中國芯片產業(yè)鏈造成障礙，但是這也將讓中國芯片產業(yè)鏈感受到緊迫性，從而促使各方共同協作，進而加速國產芯片產業(yè)鏈的推進，相信中國人民的智慧和力量，自主研發(fā)實現的目標必然會成為現實。