眾所周知，這幾年隨著中國芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，美國對中國芯片產(chǎn)業(yè)的打壓就越來越厲害，并且目前這種針鋒相對仍在繼續(xù)。

特別是2023年，中國也不再慣著美國，對美國進(jìn)行了反擊，比如上個月，由于存在國家安全風(fēng)險，美光科技生產(chǎn)的產(chǎn)品在中國被限制銷售，中國關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施不得采用美光的產(chǎn)品。

美光承認(rèn)，目前總部位于中國大陸和香港的公司的收入，包括直接銷售和通過分銷商的間接銷售，約占美光全球收入的四分之一，其中有一半會受到影響。

那么實際算起來，大約就是38.5億美元營收將會受到影響，不是之前大家預(yù)計的最多美光11%左右的營收。

同時可以預(yù)料到，后續(xù)類似的這種針鋒相對，也許可能會更多，受影響的美國芯片企業(yè)也會更多。

不過在這中美半導(dǎo)體對抗的背后，我們還能發(fā)現(xiàn)另外一個事實，那就是韓國的存儲芯片有可能會成為炮灰。

目前在存儲芯片領(lǐng)域，韓國是一家獨大，三星、SK海力士合計拿下了全球60%以上的份額，理論上是沒有對手的。

表面上看美光的產(chǎn)品在中國被限制，甚至還是三星、SK海力士一個機(jī)會。

大家別忘了，中國目前已經(jīng)有兩大存儲芯片企業(yè)，一是長江存儲，主攻NAND閃存，目前已經(jīng)發(fā)布了232L Xtacking3.0 TLC芯片，比特密度高達(dá)15.0 Gb/mm2，這是迄今為止最高的比特密度，不輸三星、美光等。

另外DRAM企業(yè)長鑫存儲也推出了20nm級(D/R=23.8nm) DDR4和LPDDR4X產(chǎn)品，以及D1x(可能采用19nm D/R)樣品產(chǎn)品，正在為DDR5和LPDDR5/5X應(yīng)用開發(fā)n+1 (D1y)和n+2 (D1z)代。

很明顯，中國存儲芯片，已經(jīng)有了取代國外存儲芯片產(chǎn)品的能力和實力。實話實說，如果沒有中美芯片對抗，那么消費者可能還沒有那么的支持國產(chǎn)存儲芯片。

隨著中美芯片對抗，國產(chǎn)替代的呼聲越來越高，消費者也就更多的使用國產(chǎn)存儲芯片產(chǎn)品。

比如這一次的618，大家可以看到國產(chǎn)SSD產(chǎn)品，國產(chǎn)內(nèi)存產(chǎn)品，已經(jīng)在銷售排名上非常靠前，打敗了眾多的國外存儲產(chǎn)品。

而中國存儲芯片產(chǎn)品崛起受影響最大的是誰？并不是美國芯片廠商，而是韓國芯片廠商前面已經(jīng)提到過三星SK海力士合計拿下了全球存儲芯片市場60%以上的份額。

韓國每年出口到中國的存儲芯片800億到1000億美元之間，而中國每年進(jìn)口的存儲芯片占全球35%以上。

如今中國存儲存芯片產(chǎn)品有了突破，那么必然會慢慢的減少進(jìn)口，自然受影響最大的就是韓國這兩大巨頭，三星和SK海力士，所以我說韓國存儲芯片產(chǎn)品，可能會成為中美半導(dǎo)體大戰(zhàn)的炮灰。

當(dāng)然這個過程并不是一朝一夕就能完成的，因為目前韓國存儲芯片的優(yōu)勢太大了，韓國有60%以上的份額，而國產(chǎn)存儲芯片目前僅5%左右的份額相差，相差還有10倍以上。

但趨勢一旦形成就不可逆轉(zhuǎn)，目前韓國也是憂心忡忡，因為他們也看到了這一點。