不得不說，現(xiàn)在中國芯片產(chǎn)業(yè)外部的局勢是越來越緊張了。

去年10月份，美國對人才、設(shè)備、軟件、資金等全方面封者，想要鎖死我們的DRAM內(nèi)存在18納米，鎖死NAND閃存在128層，鎖死邏輯芯片工藝在14納米。

然后今年美國又聯(lián)手了荷蘭、日本繼續(xù)圍堵。目前日本也出臺政策，把尖端半導(dǎo)體制造設(shè)備等23個品類列入出口管理限制對象名單。

如果從工藝來看的話，日本的這些設(shè)備，均屬于制造電路線寬在10～14納米以下的尖端產(chǎn)品所需設(shè)備。而ASML之前表示，浸潤式光刻機(jī)，也不能隨便賣到中國來了，只有一臺可以賣。

很明顯，目前國內(nèi)芯片產(chǎn)業(yè)要向往先進(jìn)工藝進(jìn)發(fā)，確實是比較困難了，從現(xiàn)在的14nm進(jìn)入10nm，短時間之內(nèi)，基本很難實現(xiàn)。

所以在這樣的情況下，我覺得中國芯接下來的方向，不是先想辦法進(jìn)入10nm，而是先想辦法實現(xiàn)28nm工藝的全部國產(chǎn)化。

何謂全部國產(chǎn)化？即生產(chǎn)28nm芯片的設(shè)備、材料、技術(shù)、軟件等，全部國產(chǎn)化，不需要依賴進(jìn)口。

事實上，目前在28nm這個工藝上，我們都沒有實現(xiàn)國產(chǎn)化的，比如光刻機(jī)使用的是ASML的，很多控制良率設(shè)備使用的是美國、日本廠商的，材料也很多來自日本的。

目前，雖然美國、日本等廠商，并沒有對28nm這個工藝進(jìn)行限制，針對的主要是14nm及以下的工藝，但未來可就難說。

所以我們要做好準(zhǔn)備，路一步一步走，先把28nm工藝國產(chǎn)化。而這個目標(biāo)，目前看起來并不遙遠(yuǎn)。

如上圖所示，在芯片制造的擴(kuò)散、薄膜沉積、光刻、刻蝕、離子注入、CMP拋光、金屬化、測試等8個關(guān)鍵環(huán)節(jié)，國產(chǎn)的設(shè)備，大多已經(jīng)達(dá)到了28nm，有少部分甚至達(dá)到了5nm、3nm了。

而在材料方面，情況也差不多，很多達(dá)到了28nm。如果國產(chǎn)芯片廠商們多支持，估計全套產(chǎn)業(yè)鏈，都可以迅速提升至28nm，甚至更高的水平。

而從2022年數(shù)據(jù)來看，全球76%左右的芯片（數(shù)量占比，不是價值占比），還是采用28nm及以上的工藝制造的。

所以中國芯目前的方向，在我看來肯定不是想方設(shè)法進(jìn)入14nm以下，那也不現(xiàn)實，還是先把28nm全國產(chǎn)化， 再以成熟工藝為基礎(chǔ)，慢慢推動整個國產(chǎn)供應(yīng)鏈成長，最終突破至14nm，再10nm……

這樣就不怕被人卡脖子，因為我們那時候已經(jīng)沒脖子了，脖子和身體一樣粗，對方?jīng)]法卡了。