一直以來，很多業(yè)內人士對臺積電、三星的工藝制程，是持懷疑態(tài)度的，那就是5nm是真的5nm么？3nm又是真的3nm么？

要知道在專業(yè)人士的認識中，芯片工藝是多少XXnm，是指從源極到漏極（也就是柵極寬度）是多少XXnm，這是一一對應的。

而很多人去分析臺積電、三星的先進工藝芯片，發(fā)現(xiàn)并沒有一一對應起來，所以才產生了這樣的懷疑。

而事實上，之前高通就表示過，別太相信代工廠的工藝，他們喜歡將數(shù)字弄得小一點，臺積電、三星都有類似問題，只有英特爾是清白的。

但真正承認這個問題的，還是臺積電自己，在2019年的時候，臺積電的技術研究副總經理黃漢森就表示過，XXnm其實與晶體管柵極已經不是絕對相關了。

意思就是現(xiàn)在的XXnm，更多的還是晶圓廠自己來定義的，并不是一定就指柵極寬度是XXnm。

這事情就有意思了，所以我們發(fā)現(xiàn)，不同的晶圓廠，在相同的芯片工藝上，晶體管密度不一樣，如下圖所示，大家可以清楚得看到。

同樣是7nm，臺積電工藝可以達到0.97億個晶體管每平方毫米，而三星只有0.95億個每平方毫米，但英特爾可以達到1.8億個每平方毫米，而越到后面，差距越大，特別是三星，相比友商，密度越來越小。

這對于英特爾而言是非常不利的，畢竟大家只看表面的工藝，那么英特爾怎么辦？于是也想了一招，不再將工藝嚴格對應柵極寬度了，于是改名。

比如英特爾就將原本的7nm工藝，改成Intel 4，對應的其實也就是臺積電、三星的4nm工藝。

在2022 IEEE VLSI研討會上，Intel正式表示，Meteor Lake移動版和桌面處理器將采用Intel 4工藝（本質是7nm工藝）。

而從其公布的參數(shù)來看，其晶體管密度等指標方面，所謂的intel4，基本上與臺積電的4nm工藝相接近，高于三星的4nm，我們完全可以認為是等同于4nm EUV工藝。

同時intel也表示，Intel 4相較于Intel 7（其實是10nm的12代酷睿），同等功耗下的頻率可以高出20%。

不得不說，英特爾終于也學聰明了，學會了臺積電、三星的營銷游戲，不再死守規(guī)則，硬要將柵極寬度與XXnm對應起來了。

不過英特爾的這一舉動，也算是掀開了臺積電、三星在工藝上的遮羞布了，你覺得呢？不過接下來，三大廠都這么干了，也就不存在遮羞布這一說，天下烏鴉一般黑了啊。

問題來了，后續(xù)還有誰來掀開這塊遮羞布呢？