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傳輸速率高達7.2Gbps!三星大規(guī)模量產(chǎn)12nm DDR5 DRAM:功耗降低23%、產(chǎn)出率提高20%

2023-05-18 來源:網(wǎng)絡(luò)整理
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關(guān)鍵詞: 三星 芯片

5月18日消息,三星在去年12月發(fā)布了全球首款傳輸速率高達7.2Gbps的12nm級DDR5 DRAM內(nèi)存芯片,今天,三星正式宣布已大規(guī)模量產(chǎn)12nmDDR5DRAM芯片。


根據(jù)三星官方的說法,該12nm DDR5 DRAM芯片采用了新的高介電(high-k)材料,以增加電池電容,并進一步改善關(guān)鍵電路特性專利設(shè)計技術(shù)達成。結(jié)合先進的多層極紫外 (EUV) 光刻技術(shù),新型 DRAM 具有業(yè)界最高的芯片密度,可將晶圓生產(chǎn)率提高 20%(即同樣的一片晶圓,由于單個芯片尺寸縮小,因此可以多生產(chǎn)20%的芯片)。同時,該DRAM芯片傳輸速率高達7.2Gbps,并且能耗相比上一代的DRAM還要低23%。


三星表示,其12nm DDR5 DRAM憑借卓越的性能和能效,能夠成為下一代計算、數(shù)據(jù)中心和人工智能驅(qū)動系統(tǒng)等領(lǐng)域可持續(xù)運營的基礎(chǔ)。



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