SEMI（國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會）公布北美半導(dǎo)體設(shè)備出貨報告，2021年2月份設(shè)備制造商出貨金額達31.350億美元，連續(xù)2個月創(chuàng)下歷史新高紀錄。全球半導(dǎo)體產(chǎn)能供不應(yīng)求，包括IDM廠、晶圓代工廠、內(nèi)存廠等同步拉高資本支出擴產(chǎn)因應(yīng)客戶強勁需求，SEMI預(yù)期今年全球半導(dǎo)體設(shè)備投資將創(chuàng)下新高。

根據(jù)SEMI統(tǒng)計，2021年2月北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商出貨金額來到31.350億美元，較前月增長3.2％，較去年同期成長32.0％。

SEMI全球營銷長暨臺灣區(qū)總裁曹世綸表示，由于多種終端應(yīng)用市場對于半導(dǎo)體有長期的強勁需求，SEMI看好全球數(shù)字轉(zhuǎn)型將持續(xù)推動半導(dǎo)體設(shè)備投資的增長。

今年半導(dǎo)體產(chǎn)能供不應(yīng)求，邏輯IC及內(nèi)存同步缺貨，帶動各大廠積極擴產(chǎn)因應(yīng)強勁需求。晶圓代工廠及DRAM廠今年投資重點在于擴建極紫外光（EUV）產(chǎn)能，包括臺積電、英特爾、三星、SK海力士等已向艾司摩爾（ASML）預(yù)訂EUV曝光機，其中，臺積電及三星下半年加快3nm晶圓代工產(chǎn)能建置，三星及SK海力士建置1anm DRAM產(chǎn)能。

至于IDM龍頭大廠英特爾已加快自有產(chǎn)能建置，10nm產(chǎn)能今年進入量產(chǎn)，7nm研發(fā)加速進行，預(yù)計明年下半年開始生產(chǎn)，2023年擴大投片規(guī)模，同樣會在7nm制程開始導(dǎo)入EUV技術(shù)，對EUV曝光機采購亦將逐步擴大。

SEMI調(diào)查顯示，今、明兩年大部分晶圓廠投資集中于晶圓代工和內(nèi)存部門。在大幅投資推動下，晶圓代工支出預(yù)計今年將增長23％達320億美元，明年預(yù)估持平；整體內(nèi)存支出今年有個位數(shù)成長達280億美元，同年DRAM將超過NAND Flash，明年將在DRAM和3D NAND投資推波助瀾之下出現(xiàn)26％的顯著成長。

SEMI預(yù)期在2020～2022年的三年預(yù)測期間內(nèi)，全球晶圓廠每年將增加約100億美元的設(shè)備支出，最終將于2022年超過800億美元大關(guān)、達到836億美元規(guī)模并創(chuàng)下新高。法人看好資本支出概念股直接受惠，包括漢唐、帆宣、信纮科等廠務(wù)工程業(yè)者今年在手訂單續(xù)創(chuàng)新高，設(shè)備及備品供貨商京鼎、弘塑、意德士等同步受惠，對今年展望抱持樂觀看法。