美國一直都在試圖遏制中國芯片的發(fā)展，近期美國總統(tǒng)拜登拉攏了日本和荷蘭限制先進芯片設備供應，以為如此做就能阻擋中國芯片的發(fā)展，然而中國芯片卻在近期公布了好幾項技術進展，讓美國的圖謀落空。

中國最大的芯片企業(yè)傳出量產(chǎn)12納米工藝，相比起此前14納米工藝再進一步，顯示出美國限制芯片設備和芯片材料的供應并未能阻止中國發(fā)展先進工藝，中國芯片行業(yè)反而因此激發(fā)了潛力，加速了芯片工藝研發(fā)進程。

中國量產(chǎn)12納米工藝與臺積電的3納米工藝固然有好幾代的差距，但是與美國的芯片制造工藝差距卻不太大，美國芯片龍頭企業(yè)Intel量產(chǎn)的最先進工藝不過是10納米工藝，如此以來中國和美國的芯片制造工藝方面不相伯仲。

業(yè)界人士指出全球有七成的芯片都是以28納米以上成熟工藝生產(chǎn)，14納米工藝則能滿足中國九成的芯片需求，12納米工藝將進一步增強中國芯片的競爭力，據(jù)稱中國完全自研的龍芯3A6000就正在以國產(chǎn)的12納米工藝流片，而性能方面可以達到Intel的11代酷睿i5的水平。

中國還在加快完善芯片制造產(chǎn)業(yè)鏈，光刻機這個芯片制造的短板正在取得突破，28納米光刻機已投產(chǎn)，28納米光刻機就是浸潤式光刻機，浸潤式光刻機技術可以升級到7納米，這也意味著國產(chǎn)光刻機推進7納米將很快變成現(xiàn)實，實現(xiàn)芯片工藝完全國產(chǎn)化，美國以ASML的光刻機阻止中國先進工藝發(fā)展的做法即將失效。

在推進現(xiàn)有的硅基芯片技術之外，中國積極發(fā)展先進芯片材料，以繞開ASML的EUV光刻機，也已取得了進展。近期西安郵電大學攻克了第四代半導體材料氧化鎵，氧化鎵具有功率轉(zhuǎn)換效率高，成本低以及熱穩(wěn)定性高等特點，可以有效提升芯片性能。

第四代半導體材料對于人工智能、量子計算等先進芯片技術的發(fā)展至關重要，可以提供更強的算力、更小的體積和更低的功耗，中國研發(fā)成功第四代芯片材料將可以繞開EUV光刻機，為這些新興技術領域提供支持。

此外中國還在光子芯片技術方面取得了進展，北京一家芯片企業(yè)已籌建全球第一條光子芯片生產(chǎn)線，光子芯片的性能較硅基芯片高1000倍、功耗卻只有硅基芯片的千分之一，顯示出中國正在多條技術路線上推進先進芯片技術，確保開發(fā)先進芯片技術能取得成功。

中國在芯片材料技術方面的進展讓外媒吃驚，他們沒有想到中國在傳統(tǒng)硅基芯片技術研發(fā)方面仍然相對落后的情況下，卻突然在芯片材料方面取得突破，實現(xiàn)了彎道超車，最終將有望在芯片技術方面反超美國，這讓拜登的圖謀成為泡影。

中國芯片行業(yè)相對于其他經(jīng)濟體的優(yōu)勢在于基礎扎實，依靠國內(nèi)早年對工業(yè)基礎的打造，以及龐大的規(guī)模，在基礎研究方面長久維持下來，厚積薄發(fā)之下如今取得了成果，如今美國施加的壓力更是激發(fā)了中國芯片行業(yè)的潛力，將諸多芯片技術付諸生產(chǎn)，從而取得了令人吃驚的進展。