某國產(chǎn)手機芯片企業(yè)表示它已搞定14納米以上的EDA工具全國產(chǎn)化，純國產(chǎn)芯片變成現(xiàn)實，如此也就說明國產(chǎn)的28納米光刻機已投入生產(chǎn)線，28納米光刻機對于國產(chǎn)7納米具有獨特的意義，實現(xiàn)7納米的國產(chǎn)化有了希望。

國產(chǎn)28納米光刻機其實早在2021年就已通過技術(shù)驗證，隨后開始進(jìn)一步完善，不過由于眾所周知的原因，28納米光刻機投入生產(chǎn)采取了低調(diào)的態(tài)度，直至如今傳出14納米芯片的量產(chǎn)，證明28納米光刻機已投入生產(chǎn)線。

28納米光刻機其實同樣可以用于14納米工藝生產(chǎn)，通過雙重曝光技術(shù)就可以實現(xiàn)7納米工藝的量產(chǎn)，當(dāng)年臺積電都采用過類似的技術(shù)，直到ASML推出14納米光刻機才將14納米轉(zhuǎn)用14納米光刻機，降低成本、提高效率；后來臺積電同樣以14納米光刻機實現(xiàn)了7納米工藝的量產(chǎn)，再進(jìn)一步引入EUV光刻機量產(chǎn)7納米EUV工藝。

28納米光刻機對于先進(jìn)光刻機來說是一個重要門檻，在28納米以上的工藝主要采用干式光刻機，而28納米之后采用Arf浸潤式光刻機，此后一直到7納米工藝都在采用Arf浸潤式光刻機，這就意味著28納米到7納米光刻機的技術(shù)是相通的，國產(chǎn)光刻機實現(xiàn)了28納米Arf浸潤式光刻機就代表著國產(chǎn)光刻機達(dá)到了一個新的高度，7納米光刻機量產(chǎn)的時間也就快了。

國產(chǎn)光刻機的發(fā)展補上了國產(chǎn)芯片制造技術(shù)的最后短板，此前芯片制造的八大環(huán)節(jié)都已達(dá)到14納米，刻蝕機更是達(dá)到5納米，另外光刻膠也已達(dá)到5納米，可以說芯片制造的諸多環(huán)節(jié)都已為14納米國產(chǎn)化做好了準(zhǔn)備，隨著28納米光刻機投入生產(chǎn)線，完全國產(chǎn)化的14納米工藝也就成為現(xiàn)實。

受制于美國的芯片規(guī)則，美國從光刻機到光刻膠等芯片設(shè)備和材料限制中國芯片制造的發(fā)展，導(dǎo)致國產(chǎn)芯片制造不受限制的芯片制造工藝停留在28納米，考慮到這個現(xiàn)實，國產(chǎn)芯片制造一直在力推28納米工藝。

國內(nèi)最大的芯片制造企業(yè)中芯國際大舉推進(jìn)的芯片制造工藝就是28納米，它當(dāng)前在建的四座芯片工廠都是28納米工藝，28納米工藝已能滿足國內(nèi)七成的芯片需求，而且28納米具有成本低的優(yōu)勢，而國產(chǎn)芯片自給率才達(dá)到四成，28納米工藝產(chǎn)能的擴張為國產(chǎn)芯片實現(xiàn)2025年七成的自給率提供了支持。

不過國產(chǎn)芯片仍然需要更先進(jìn)的工藝，畢竟手機芯片、PC芯片等都需要先進(jìn)工藝提供更強的性能、更低的功耗，不過美國卻從去年下半年開始不斷加強對中國的光刻機供應(yīng)限制，限制ASML對中國出售14納米光刻機，先進(jìn)芯片制造工藝就成為中國芯片努力打破的瓶頸。

如今國產(chǎn)28納米光刻機的投產(chǎn)，代表著國產(chǎn)光刻機產(chǎn)業(yè)鏈的進(jìn)一步完善，中國也將成為全球的光刻機產(chǎn)業(yè)鏈最完善的國家，ASML是全球?qū)嵙ψ顝姷墓饪虣C企業(yè)，然而ASML所在的荷蘭僅能提供光刻機15%的配件，光刻機其他八成多的配件需要全球30多個國家、5000多家企業(yè)供應(yīng)，而中國卻能靠自己一己之力打造了較為完善的光刻機產(chǎn)業(yè)鏈，可見這幾年國產(chǎn)芯片的突飛猛進(jìn)。

美國這幾年的做法促進(jìn)了中國芯片行業(yè)的大發(fā)展，美國限制供應(yīng)存儲芯片、射頻芯片、GPU芯片等，中國短短3年時間就打破了這些芯片的空白；美國限制芯片設(shè)備的供應(yīng)，中國芯片設(shè)備行業(yè)就在數(shù)年時間完善了自己的芯片產(chǎn)業(yè)鏈，可以說美國的做法逼出了中國科技的潛力，加速了中國科技的發(fā)展，進(jìn)而形成中國的技術(shù)體系，這出乎美國的意料。