SK海力士展示300層NANDFlash，最快2024年問世
據(jù)外媒消息，韓國存儲大廠SK海力士在ISSCC上展示了其最新300層堆疊第八代3D NAND Flash快閃存儲器原型。
SK海力士表示，新3D NAND Flash快閃存儲器預定兩年內(nèi)上市，有望打破紀錄。
據(jù)tomshardware報道，SK海力士揭示有更快資料傳輸量和更高儲存等級的第八代3D NAND Flash開發(fā)，提供1TB（128GB）容量，20Gb/mm2單位容量、16KB單頁容量、四個平面和2,400MT/s的介面。最大資料傳輸量達194MB/s，較上一代238層堆疊和164MB/s傳輸速率的第七代3D NAND Flash高18%。更快輸入和輸出速度，有助PCIe 5.0×4或更高介面利用率。
SK海力士研發(fā)團隊稱，第八代3D NAND Flash采用5項新技術。
首先，三重驗證程式（TPGM）功能可縮小單元閾值電壓分布，并將tPROG（編程時間）減少10%，轉(zhuǎn)化成更高性能。
其次，采用Adaptive Unselected String Pre-Charge(AUSP)技術，再將tPROG降低約2%。
第三，APR方案可將讀取時間降低約2%，并縮短字線上升時間。
第四，編程虛擬串（PDS）技術可藉由降低通道電容負載縮短tPROG和tR的界線穩(wěn)定時間。
最后，平面級讀取重試（PLRR）功能，允許不終止其他平面下，更改平面的讀取等級，立即發(fā)出后續(xù)讀取命令，提高服務質(zhì)量(QoS)，提高讀取性能。
據(jù)悉，由于新產(chǎn)品還在開發(fā)，SK海力士并未透露計劃何時開始量產(chǎn)其第8代3D NAND產(chǎn)品。但有分析認為，考慮到幾乎所有閃存制造商都傾向于放慢采用更新制造節(jié)點以限制NAND 位輸出的速度，預計該公司的新3D NAND設備將在2024年至2025年的某個時間推出，原因是該公司已經(jīng)披露了有關該技術的詳細信息，可以推測SK海力士的新產(chǎn)品開發(fā)已經(jīng)完成或接近完成。300層NANDFlash，預計最快2024年問世。
