最近，有網(wǎng)友留言給我稱，目前美國(guó)與臺(tái)積電是一伙的，芯片工藝達(dá)到了3nm，而中芯國(guó)際僅14nm，相差很大，如果一旦發(fā)生戰(zhàn)爭(zhēng)，豈不是武器會(huì)落后很多？因?yàn)橐粋€(gè)用3nm芯片，一個(gè)用14nm芯片，芯片工藝越先進(jìn)，性能越強(qiáng)，武器就會(huì)厲害啊。

說(shuō)真的，這樣的疑問(wèn)，很多人可能都會(huì)有，因?yàn)橐酝@些晶圓廠，都是宣稱先進(jìn)工藝，能帶來(lái)更高性能，更低功耗……

但是，這一般只是針對(duì)消費(fèi)級(jí)芯片而言。

比如3nm的手機(jī)芯片，確實(shí)比14nm的手機(jī)芯片要強(qiáng)，不信你拿蘋(píng)果A15和蘋(píng)果A9比，A15直接碾壓A9。

為何要提升芯片的工藝，原因是工藝提升后，同樣體積大小的芯片，性能更高，功耗更低，大家注意下這個(gè)前提條件，同樣體積下。

芯片的性能，其實(shí)最終由里面晶體管的多少?zèng)Q定的，一個(gè)晶體管代表著一個(gè)邏輯開(kāi)關(guān)，邏輯開(kāi)關(guān)越多，性能就更強(qiáng)。

如果不考慮芯片體積，20nm的芯片，只要塞進(jìn)去比3nm更多的晶體管，那么20nm的芯片，其性能能超過(guò)3nm的芯片，但這樣的20nm的芯片，其體積會(huì)比3nm的芯片大很多。

所以，工藝并不是決定性能的唯一標(biāo)準(zhǔn)，只是在手機(jī)中，由于內(nèi)部空間有限，所以需要體積小，性能強(qiáng)，才不斷的升級(jí)工藝。

軍工級(jí)產(chǎn)品，其實(shí)并不那么在乎體積，真要實(shí)現(xiàn)高性能，拿20nm，甚至40nm工藝，把芯片做大了，一樣可以實(shí)現(xiàn)高性能的，這一點(diǎn)大家不必?fù)?dān)心。

事實(shí)上，軍工武器需要的芯片，并不追求性能，追求的是穩(wěn)定，可靠。

軍工武器中，使用的需要綜合算力的CPU、Soc這樣的通用芯片其實(shí)很少的，更多的是ASIC、FPGA、ASSP這樣的的專(zhuān)業(yè)芯片。

這些芯片專(zhuān)注于執(zhí)行某一項(xiàng)指令，并不需要多么高的性能，只要穩(wěn)定可靠就行了，而實(shí)驗(yàn)表示，工藝越先進(jìn)的芯片，其穩(wěn)定性越差，工藝越落后的芯片，穩(wěn)定性其實(shí)更好，不信大家看看月球車(chē)，為了穩(wěn)定，還在使用130nm的芯片。

從全球的情況來(lái)看，目前絕大部分的軍工武器、戰(zhàn)斗機(jī)中，都在使用65nm、90nm這樣的芯片，比如俄烏沖突中，大量使用的武器、飛機(jī)、坦克的芯片，都是90nm、65nm級(jí)別的。

所以大家根本就不需要擔(dān)心因?yàn)樾酒に噯?wèn)題，使得我們?cè)谲姽の淦魃弦猜浜?，不存在的?/span>

另外還告訴大家一個(gè)秘密，我們雖然沒(méi)有EUV光刻機(jī)，但其實(shí)我們有另外一個(gè)類(lèi)型的設(shè)備——電子束曝光機(jī)，它的功能其實(shí)跟光刻機(jī)很像，通過(guò)高能電子束進(jìn)行曝光，來(lái)制造芯片，它的加工精度可以達(dá)到10納米以下，國(guó)內(nèi)有這個(gè)設(shè)備的，目前國(guó)內(nèi)的先進(jìn)制程的超導(dǎo)量子芯片，就用這樣的機(jī)器生產(chǎn)出來(lái)的。

只是它的效率很低，所以無(wú)法大規(guī)模生產(chǎn)芯片，但是少量生產(chǎn)其實(shí)沒(méi)什么問(wèn)題的，軍工武器是不計(jì)成本的，且不會(huì)大量生產(chǎn)的，所以就算真要生產(chǎn)10nm以下的芯片，也是可以實(shí)現(xiàn)的，不用擔(dān)心。