近日，半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu) Knometa Research 發(fā)布了一份2022年《全球晶圓產(chǎn)能報(bào)告》，從工藝制程的先進(jìn)性，將全球的晶圓廠進(jìn)行了排名。

如下圖所示，分為4個(gè)類別，分別是先進(jìn)工藝，次先進(jìn)工藝，成熟工藝，大線寬工藝這么四種，再按照這四種的產(chǎn)能進(jìn)行排名。

其中先進(jìn)制程，指的是3～6nm晶圓制程，以及11～14nm DRAM、≥176L 3D NAND產(chǎn)能，這一塊三星排第一，一家就拿了全球32%的產(chǎn)能。

之后再是美光、SK海力士，臺(tái)積電僅排第四，只有9%的份額，這是因?yàn)槿堑腄DR5內(nèi)存，采用的是12nm工藝，而3D NAND閃存，也是大于176層的工藝。

而在次先進(jìn)工藝上，指的是7～16nm晶圓制程、15-20nm DRAM、64-144L 3D NAND的產(chǎn)能，這一塊依然是三星第一，份額高達(dá)31%，不過第二名是鎧俠，因?yàn)殒z俠的NAND閃存特別多，所以份額達(dá)到16%。而臺(tái)積電排第三，份額為16%，再是SK海力士、intel。

在成熟工藝上，也就是20nm-0.11μm邏輯制程，>20nm DRAM的產(chǎn)能上，則是臺(tái)積電排第一了，份額為20%，之后再是三星、聯(lián)電、中芯國(guó)際、索尼。

在≥0.13μm的大線程制程上，則TI排第一，然后是臺(tái)積電、聯(lián)電、意法半導(dǎo)體、中芯國(guó)際。

很明顯，先進(jìn)工藝上，三星排第一，然后其它存儲(chǔ)芯片廠商的產(chǎn)能也比臺(tái)積電大。而臺(tái)積電則是在成熟工藝，主要是20nm-0.11μm邏輯制程上，臺(tái)積電排第一。

至于中國(guó)大陸的中芯國(guó)際，也基本上只在成熟工藝、大線程這種相當(dāng)成熟的工藝上，才有一點(diǎn)產(chǎn)能，在先進(jìn)工藝，次先進(jìn)工藝上，完全排不上號(hào)。

事實(shí)上，之前也有數(shù)據(jù)顯示，如果從全球所有的晶圓產(chǎn)能來看，三星排第一，拿下了全球約20%的芯片產(chǎn)能，臺(tái)積電只能排第二，大約在13%左右。再是美光、SK海力士、鎧俠。這意味著，目前全球的晶圓產(chǎn)能中，存儲(chǔ)芯片才是最大的，然后才是一些邏輯芯片。

此外，這4類工藝中，除了中芯上榜了之外，其它國(guó)產(chǎn)晶圓廠，包括一些國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片廠，都沒能上榜，說明大家還有相當(dāng)大的進(jìn)步空間，加油吧。