光刻機，應該是當前國內最關注的半導體設備了，原因在于國內技術相比于國際領水水平，應該是差距最大的，且也是嚴重被卡脖子的設備，美國聯(lián)合荷蘭、日本對先進光刻機進行封鎖。

目前ASML已經有了EUV光刻機，可以實現3nm、2nm這樣的芯片制造。而國內最先進的還是上海微電子的90nm的光刻機，相差不可謂不遠。

事實上，從光刻機誕生到現在的EUV光刻機，其實已經經歷了6代，這6代分別是g線、i線、KrF、ArF、ArFi、EUV。

那么問題就來了，國內當前的光刻機水平究竟是第幾代？為什么會被卡住了呢？

我們先說這6代光刻機的分類，其實是根據曝光光源波長不同來分類的，通常來說，波長越短，加工分辨率越佳，能制造的芯片工藝就越先進。

第一二代光刻機均為接觸接近式光刻機，曝光方式為接觸接近式，G線（G-line）光刻機，使用的是436nm波長的光源。而I線（I-line）使用的是365nm波長的光源，這兩種光刻機，也叫做紫外光刻機。

而第三代升級為投影式光刻機，利用光學透鏡可以聚集衍射光提高成像質量將曝光方式升級為光學投影式光刻，以掃描的方式實現曝光。這一代叫做KrF光刻機，采用248nm光源的光刻機。

第四代的ArF光刻機，與第三代KrF原理一樣，但光源升級，采用193nm光源的光刻機，這兩種稱之為DUV光刻機，也叫做DUV光刻機。

而第五代叫做ArFi，前面三個字母相同，因為采用的也是193nm光源，但這種又與ArF不一樣，之前所有的光刻機其介質采用的是空氣，但到了ArFi時，采用的是水。光線在經過水時，會有折射，所以雖然ArFi光刻機采用193nm波長光源，等經水折射時，等效于134nm波長的光源，所以這種光刻機，叫做浸潤式光刻機。

當時業(yè)界光刻機技術停止了很多年，尼康、佳能想把光源從193nm升級為165nm，但好多年沒成功。

這時候臺積電提出來用水作介質，就跳過157nm，變成143nm了，尼康、佳能很傲慢，不理臺積電，只有ASML是小廠，敢于一試，最后就搏出了ASML的未來，研發(fā)出了ArFi浸潤式光刻機，然后打得尼康、佳能一敗涂地。

至于第六代光刻機，則是EUV光刻機，采用的則是13.5nm的極紫外線（EUV）光源了，所以也稱之為EUV光刻機，這種光刻機目前只有ASML能制造，全球僅此一家，用于7nm及以下的芯片制造。

國內早期與全球的光刻機水平相差并不是特別大，像G線、I線國內都有，KrF國內也有，目前的水平是ArF光刻機，但在ArFi上就停止不前了，因為美國對技術、元件等進行了封鎖。

目前上海微電子的光刻機，采用的就是193nm波長光源的DUV光刻機，但是介質是空氣。下一步理論上要實現浸潤式光刻機，即雖然還是193nm波長的光刻機，但實際等效于143nm。

浸潤式光刻機在多重曝光后，最高是能夠實現7nm精度的，比如尼康就有類似的光刻機，ASML的浸潤式光刻機，也可以實現7nm。

所以國產光刻機加油吧，只要搞定了浸潤式光刻機，7nm就在向我們招手，美國基本上就卡不住脖子了，搞定7nm后，就相當于沒脖子了，還怕啥？