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下一代3D封裝競賽正式拉響!

2023-02-07 來源:Ai芯天下
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關(guān)鍵詞: 半導(dǎo)體 英特爾 臺積電 芯片

混合鍵合常出現(xiàn)在圖像傳感器設(shè)計中

銅混合鍵合最早出現(xiàn)在2016年,當(dāng)時索尼將這項技術(shù)用于CMOS圖像傳感器, 索尼從現(xiàn)在屬于Xperi的Ziptronix獲得了該技術(shù)的許可。

多年來,CMOS 圖像傳感器供應(yīng)商一直在使用它。為了制造圖像傳感器,供應(yīng)商在工廠中處理兩個不同的晶圓:第一個晶圓由許多芯片組成,每個芯片由一個像素陣列組成;第二個晶圓由信號處理器芯片組成。

然后,使用混合鍵合,將晶圓與μm級的銅對銅互連鍵合在一起。晶圓上的die隨后被切割,形成圖像傳感器。

這個過程與封裝幾乎無異。但其實大多數(shù)芯片不需要混合鍵合,對于封裝而言,混合鍵合主要用于高端設(shè)計,因為它是一項涉及多項制造挑戰(zhàn)的昂貴技術(shù)。

在當(dāng)今先進(jìn)封裝案例中,供應(yīng)商可以在封裝中集成多裸片的DRAM堆棧,并使用現(xiàn)有的互連方案連接裸片。

通過混合鍵合,DRAM裸片可以使用銅互連的方法提供更高的帶寬,這種方法也可以用在內(nèi)存堆棧和其他高級組合的邏輯中。

為芯片制造商提供了一些新的選擇,為下一代3D設(shè)計、存儲立方體或3D DRAM以及更先進(jìn)的封裝鋪平了道路。


混合鍵合幾乎消除了信號丟失

混合鍵合技術(shù)與傳統(tǒng)的凸點焊接技術(shù)不同,混合鍵合技術(shù)沒有突出的凸點,特別制造的電介質(zhì)表面非常光滑,實際上還會有一個略微的凹陷。

在室溫將兩個芯片附著在一起,再升高溫度并對它們進(jìn)行退火,銅這時會膨脹,并牢固地鍵合在一起,從而形成電氣連接。

混合鍵合技術(shù)可以將互聯(lián)間距縮小到10 微米以下,可獲得更高的載流能力,更緊密的銅互聯(lián)密度,并獲得比底部填充膠更好的熱性能。

混合鍵合技術(shù)銅焊點的連接方式,讓這些銅焊點承載著功率、信號以及周圍的電介質(zhì),提供比銅微凸點多1000倍的連接性能。

它可以將信號延遲降低到可忽略不計的水平,同時將凸點密度提高比2.5D積分方案還高三個數(shù)量級。


混合鍵合的關(guān)鍵工藝

在傳統(tǒng)的先進(jìn)封裝中組裝復(fù)雜的芯片可以擴展節(jié)點,使用混合鍵合的先進(jìn)封裝則是另一種選擇。

工藝步驟包括電鍍(電化學(xué)沉積、ECD)、CMP、等離子體活化、對準(zhǔn)、鍵合、分離和退火。

雖然這些工具已經(jīng)成熟,例如,用于制造雙焊點銅互連和倒裝芯片鍵合,但這些工藝需要進(jìn)一步完善以滿足混合鍵合的需求。

其中包括小于100nm對準(zhǔn)精度,芯片到晶圓鍵合和分離工具的清潔度達(dá)到新水平,具有0.5nm RMS粗糙度的出色CMP平面度以及用于最佳鍵合的電鍍。

GlobalFoundry、英特爾、三星臺積電和聯(lián)電都在致力于銅混合鍵合封裝技術(shù),Imec和Leti也是如此。此外,Xperi正在開發(fā)一種混合鍵合技術(shù),并將該技術(shù)許可給其他公司。


產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)的重要性

許多合資企業(yè)正在通過簽訂許可協(xié)議、合作開發(fā)新工藝和新技術(shù),來推進(jìn)混合鍵合產(chǎn)業(yè)生態(tài)的構(gòu)建:

Adeia與美光、全視、天行者、SK海力士、索尼、UMC、YMTC等公司簽訂了許可協(xié)議;

應(yīng)用材料公司的介電位、蝕刻、CMP、等離子體活化與應(yīng)用材料公司新加坡先進(jìn)技術(shù)開發(fā)中心的 Besi 芯片鍵合機相結(jié)合;

EVG的融合和混合鍵合以及集體組裝/計量與奧地利EVG異構(gòu)能力中心的ASM Pacific的0.2μm芯片鍵合機相結(jié)合;

英特爾和Leti開發(fā)了一種自組裝工藝,用于使用水蒸發(fā)進(jìn)行芯片到晶圓的鍵合;

Suss Microtec將其表面處理覆蓋層測量工具與SET的芯片到晶圓鍵合機相結(jié)合;

TEL與IBM共同開發(fā)了300mm模塊,采用硅載體晶圓和激光釋放薄型產(chǎn)品晶圓。


結(jié)尾:混合鍵合代表一個轉(zhuǎn)折點

在最需要提高性能和功率的時候,混合鍵合為晶體管節(jié)點縮放提供了一種可行的替代方案。

在不同工藝間的競爭愈加激烈,混合鍵合很快將會應(yīng)用到3D DRAM、RF調(diào)制解調(diào)器和microLED的GaN/Si鍵合等領(lǐng)域。

可以毫不夸張地說,混合鍵合代表了整個行業(yè)的一個轉(zhuǎn)折點,因為它改變了芯片制造的方式。



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