盡管臺(tái)積電（TSMC）的3nm制程節(jié)點(diǎn)在性能和功耗方面都會(huì)帶來好處，但初代N3工藝的高昂報(bào)價(jià)讓許多芯片設(shè)計(jì)公司望而卻步，傳聞報(bào)價(jià)突破2萬美元。目前臺(tái)積電初代N3工藝唯一客戶是蘋果，今年上半年的產(chǎn)能也只是緩慢爬升。

據(jù)Wccftech報(bào)道，臺(tái)積電可能會(huì)降低3nm制程節(jié)點(diǎn)的代工報(bào)價(jià)，包括后續(xù)的N3E、N3P和N3X，以吸引更多的客戶使用，比如AMD、英偉達(dá)、高通和聯(lián)發(fā)科等。要實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)需要一些時(shí)間，而且要冒一點(diǎn)風(fēng)險(xiǎn)，不過可以為蘋果以外的客戶提供了更多的機(jī)會(huì)。

根據(jù)配置的不同，一臺(tái)EUV光刻機(jī)的成本在1.5億美元到2億美元之間。目前N3工藝的EUV光罩層數(shù)為25層，今年下半年量產(chǎn)的N3E工藝的EUV光罩層數(shù)從25層減少到21層，良品率也更高一些，可以更好地控制制造成本。有市場(chǎng)分析機(jī)構(gòu)表示，今年下半年臺(tái)積電在HPC、智能手機(jī)和ASIC的主要客戶可能會(huì)留在N4/N5，會(huì)選擇N3E作為切入3nm制程節(jié)點(diǎn)的首次嘗試，而所謂的N3B將主要限于蘋果的產(chǎn)品。

根據(jù)臺(tái)積電近期的報(bào)告，與現(xiàn)有的N5工藝相比，N3工藝在用于緩存的SRAM單元方面幾乎沒有縮減，隨著新一代高性能芯片對(duì)緩存的需求增加，其尺寸很可能會(huì)增加，同時(shí)成本也在增加。AMD可能會(huì)在Zen 5架構(gòu)CPU和RDNA 4架構(gòu)GPU上采用3nm工藝，英偉達(dá)的Blackwell架構(gòu)GPU也可能會(huì)這么做，不過也要等到2024年下半年。