由于眾所周知的原因，中國的芯片產(chǎn)業(yè)被老美連連采取措施卡脖子，這讓國內(nèi)的科技企業(yè)承受著極大的壓力，然而中國的科技企業(yè)并未因此氣餒，反而激發(fā)了潛力，連連取得技術(shù)破，日前就有國產(chǎn)芯片企業(yè)表示在4納米小芯片技術(shù)上取得了突破。

日前中國最大、全球第三大封測(cè)巨頭長電科技宣布研發(fā)成功XDFOI? Chiplet高密度多維異構(gòu)集成系列工藝，涵蓋了2D、2．5D、3D chiplet技術(shù)，并已開始為客戶封裝芯片，代表著中國芯片技術(shù)的又一個(gè)重大突破。

chiplet技術(shù)已成為全球芯片行業(yè)高度重視的技術(shù)，這是因?yàn)楫?dāng)前的芯片制造工藝逐漸接近極限，進(jìn)一步提升芯片制造工藝的難度極大，而成本更是指數(shù)級(jí)提升，臺(tái)積電的3nm工藝就延遲量產(chǎn)，由于成本太高，蘋果就舍棄了臺(tái)積電本計(jì)劃在2022年量產(chǎn)的3nm工藝，無奈之下臺(tái)積電只能對(duì)3nm工藝進(jìn)一步改進(jìn)至N3E以滿足蘋果對(duì)技術(shù)的要求。

長電科技研發(fā)成功的4納米chiplet技術(shù)代表著當(dāng)下最先進(jìn)的水平，它的最大封裝面積達(dá)到1500mm?，可以將多種工藝生產(chǎn)的芯片封裝在一起，通過將多種芯片封裝在一起縮短這些芯片間的溝通時(shí)間進(jìn)而大幅提升芯片性能，實(shí)現(xiàn)了系統(tǒng)級(jí)的封裝，充分滿足客戶的需求。

長電科技的XDFOI? Chiplet為全自研的芯片封裝技術(shù)，在技術(shù)上完全屬于自主研發(fā)，尤其是在當(dāng)下如此困難的環(huán)境下，長電科技研發(fā)的4納米封裝技術(shù)無疑代表著國產(chǎn)芯片迎難而上的勇氣，以及強(qiáng)大的技術(shù)研發(fā)能力。

長電科技的XDFOI? Chiplet技術(shù)可以代表著中國芯片的強(qiáng)大研發(fā)實(shí)力，顯示出中國芯片行業(yè)即使面對(duì)許多困難，也不會(huì)停止前進(jìn)的腳步，這幾年中國芯片已取得了太多的成就。

2019年在美國的影響下，ARM悍然違背它堅(jiān)持開放的諾言，暫停授權(quán)給一家中國科技企業(yè)，中國芯片由此全力轉(zhuǎn)向支持RISC－V架構(gòu)，在中國芯片的力推下，僅僅3年時(shí)間RISC－V芯片在中國市場(chǎng)的出貨量就超過50億顆，占領(lǐng)了物聯(lián)網(wǎng)芯片市場(chǎng)，形成與ARM和X86三足鼎立的格局。

在存儲(chǔ)芯片行業(yè)，中國存儲(chǔ)芯片通過完全自研，短短6年時(shí)間不僅打破了美日韓在存儲(chǔ)芯片的壟斷，更已研發(fā)出232層3D NAND技術(shù)，居于全球領(lǐng)先地位；此外還有模擬芯片、射頻芯片等取得的突破，早前日媒拆分一家中國科技企業(yè)的5G小基站發(fā)現(xiàn)中國自產(chǎn)的芯片占比已達(dá)到55％，而來自美國的芯片占比僅剩下1％，而之前來自美國的芯片占比可是達(dá)到27％，這種種成績都凸顯出國產(chǎn)芯片自研的巨大突破。

中國芯片目前所取得的成就正激勵(lì)更多中國科技企業(yè)進(jìn)入芯片行業(yè)，目前多家中國手機(jī)企業(yè)都已開始自研芯片，各個(gè)互聯(lián)網(wǎng)企業(yè)也開始研發(fā)芯片，在它們的努力下不斷以國產(chǎn)芯片替代進(jìn)口芯片，提升芯片國產(chǎn)化比例，中國的芯片進(jìn)口量因此減少了840億顆，與此同時(shí)中國的芯片競(jìng)爭力也在提升，進(jìn)而走向海外市場(chǎng)，2022年上半年中國的芯片出口量就增加了兩成多，甚至連擁有強(qiáng)大芯片產(chǎn)業(yè)的美國國內(nèi)制造商都表示認(rèn)可中國芯片。

可以說美國的做法非但沒能擋住中國芯片前進(jìn)的腳步，反而激發(fā)了中國芯片的巨大潛力，他們齊心協(xié)力，例如阿里平頭哥研發(fā)RISC－V芯片取得成果后就與國內(nèi)芯片企業(yè)共同合作，推動(dòng)RISC－V架構(gòu)進(jìn)入更多行業(yè)，正是在各方的共同努力下，中國芯片的進(jìn)步比以往任何時(shí)候都要快，外媒感嘆美國如此做都未能擋住中國芯片前進(jìn)的腳步。