過去一個月，全球媒體一直在猜測華為新的芯片組制造專利，今年可能會有很多專利，例如最新的12nm和14nm芯片組。

據(jù)知名微博爆料者透露，12nm和14nm芯片組的首次量產(chǎn)正在籌備中。爆料者透露，其中的某組芯片已經(jīng)在內(nèi)部使用。

鑒于線人提供的華為信息，這些12nm和14nm芯片組可能由中國大陸晶圓廠制造。

這是一個振奮人心的消息，無論是對華為還是對中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，都將從中受益。

華為擁有最大的智能可穿戴產(chǎn)品組合，有很多設(shè)備可以使用這種類型的半導(dǎo)體芯片。

得益于子公司海思（HiSilicon）多年的研究，華為擁有最先進的芯片設(shè)計技術(shù)。

爆料者評論說，高級芯片組的工作正在進行中，我們必須等到 2024 年才能匹配到移動應(yīng)用處理器制程節(jié)點，今年肯定不會出現(xiàn)高級芯片組。

麒麟芯片庫存耗盡

目前，華為的麒麟芯片庫存已經(jīng)用完，該公司只能依靠高通為智能手機提供新芯片。

這種情況起源于美國禁令之后，從那時起，華為就無法通過臺積電等晶圓代工廠生產(chǎn)先進制程芯片。

但華為正在重塑其供應(yīng)鏈，并試圖將新的合作伙伴聚集在一起，以解決當前的手機芯片問題。

知情人士透露，為加快芯片生產(chǎn)，華為正在與同樣被美國政府列入黑名單的本土芯片制造商合作，甚至重新設(shè)計部分核心芯片，如此華為就能以較成熟技術(shù)生產(chǎn)芯片。

消息人士說，華為不是從零開始建立自己的芯片工廠，而是在政府支持下，派員工協(xié)助當?shù)貛准倚酒圃焐倘谫Y、采購及營運。知情人士表示，其目的是建立不會被美國干預(yù)的生產(chǎn)線。

雖然美國已授予出口許可，允許美企向華為提供一些沒那么敏感的芯片，但該公司仍坦承受美國制裁影響，并表示需要許多耐心修補供應(yīng)鏈弱點。

消息人士透露，華為的優(yōu)先事項，是生產(chǎn)用于電信設(shè)備與汽車業(yè)務(wù)的芯片，縱然一開始芯片比不上愛立信、三星電子等競爭對手。

華為聚焦于電信設(shè)備芯片，部分原因是這些芯片的技術(shù)要求，比智能手機等消費者設(shè)備低。這些芯片通常不需要那么小或節(jié)能，且數(shù)量小很多。

四名知情人士表示，華為也與深圳等地幾家規(guī)模較小芯片廠聯(lián)手。目前，公開紀錄并未顯示華為已投資這幾家公司。

兩名消息人士說，華為現(xiàn)在的目標，是將一些存儲芯片產(chǎn)線，改成可生產(chǎn)處理器和其它邏輯芯片的產(chǎn)線。

技術(shù)自給自足又進一步

光刻機是芯片制造中使用的最復(fù)雜和最昂貴的機器之一。華為已經(jīng)為 EUV 光刻系統(tǒng)中使用的一種組件申請了專利，該系統(tǒng)需要在亞 10nm制程節(jié)點上制造高端處理器，它解決了紫外線產(chǎn)生的干涉圖案問題，否則會使晶圓不均勻。

華為解決了芯片制造最后一步由極紫外（EUV）光的微小波長引起的問題。它的專利描述了一組鏡子，這些鏡子將光束分成多個子光束，這些子光束與它們自己的微鏡發(fā)生碰撞。這些鏡子中的每一個都以不同的方式旋轉(zhuǎn)以在光線中產(chǎn)生不同的干涉圖案，因此當它們重新組合時，干涉圖案相互抵消以產(chǎn)生一束均勻的光束。

EUV 光刻系統(tǒng)目前由荷蘭公司 ASML 獨家制造。EUV 光刻依賴于與舊形式光刻相同的原理，但使用波長約為 13.5 nm 的光。

ASML需要超過 60 億歐元和 17 年的時間來開發(fā)第一批可以銷售的 EUV 光刻機。但在它們完成之前，美國政府向荷蘭政府施壓，要求其禁止向中國出口，限制該國使用較舊的 DUV（深紫外線）技術(shù)。目前，只有五家公司正在使用或已宣布計劃使用 ASML EUV 光刻系統(tǒng)：美國的英特爾和美光，韓國的三星和 SK 海力士，以及臺積電。

像華為這樣的中國公司以前能夠?qū)⑺麄兊脑O(shè)計發(fā)送到像臺積電這樣的晶圓廠，以使用 EUV 光刻進行制造，但自從美國對中國實施制裁以來，這種可能性越來越小。華為需要訪問使用 EUV 光刻的高級節(jié)點，以繼續(xù)改進其定制處理器，這些處理器面向從智能手機到數(shù)據(jù)中心的所有領(lǐng)域。不過，華為在制造自己的 EUV 系統(tǒng)之前還有很長的路要走。