三星正在瘋狂“囤積”，長江存儲卻再受打擊，國產存儲芯片如何邁過“冬天”？
美國存儲器大廠美光近來財測嚴峻，并警告市場需求萎縮，這讓另一巨頭三星電子的動向備受矚目。韓媒分析認為，三星不太可能追隨包括美光科技和SK海力士在內的同行的腳步，縮減產量，并對資本支出前景持謹慎態(tài)度。
消息人士指出，三星過去會在其他內存芯片制造商爭保持價格穩(wěn)定時大幅降價。
根據BusinessKorea最近的一份報告，三星將在平澤的P3建立新的DRAM和半導體代工生產線，并計劃安裝10套極紫外（EUV）光刻設備。該報告沒有引用其來源?！俄n國經濟日報》27日報道，三星最近曾向營建關系企業(yè)三星重工、三星工程下達價值1萬億韓元（7.886億美元）的訂單，打造廠房及電力設施。
披露第三季度財務業(yè)績時，三星估計其今年的資本支出約為54萬億韓元（425億美元），其中包括分配給公司設備解決方案（DS）部門的47.7萬億韓元。三星補充說，其內存資本支出將專注于P3和P4基礎設施，以及EUV等先進技術。
三星或推出高端存儲芯片租賃服務
韓國媒體報道稱，三星電子計劃考慮推出新的商業(yè)模式，高端存儲芯片租賃服務，尋求在價格轉為波動時也能確保穩(wěn)定銷售及收益流。
報道指出，消息人士稱，三星電子近期將“存儲即服務”（memory as a service，MaaS）敲定為新業(yè)務，并正在制定實施計劃。三星計劃將用于高性能計算的存儲半導體借給谷歌等云服務公司，并收取租賃費用。三星電子希望新業(yè)務能占其動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）整體銷售收入的至少10%。
具體而言，在新的商業(yè)模式下，三星計劃將下一代CXL DRAM封裝和稱為SSD的數據存儲設備等用于高性能計算 (HPC) 的存儲器半導體借給包括谷歌在內的云服務公司，并從他們那里收取租金。通過以預先設定的合同價格達成交易，同時在此類芯片的整個生命周期內獲得系統(tǒng)管理服務，客戶將能夠降低與芯片采購相關的成本。
報道指出，對于三星而言，MaaS業(yè)務將確保三星穩(wěn)定的銷售和收益流，尤其是當芯片價格在行業(yè)下行周期中大幅下跌時。
眾所周知，當前，全球存儲產業(yè)正處于行業(yè)下行周期，存儲器價格持續(xù)下跌，據市場研究機構TrendForce集邦咨詢此前預計，第四季NAND Flash和DRAM價格跌幅將分別擴大至15~20%以及13~18%。
三星在存儲和晶圓代工領域全速進擊
三星在其最近的內存技術日會議上，介紹了其DRAM和NAND業(yè)務的先進發(fā)展。
下圖顯示了三星到2030年的DRAM路線圖。為了推進10納米范圍以外的微縮，三星正在開發(fā)圖案、材料和架構方面不斷進行突破。即將推出的DRAM解決方案包括32Gb DDR5 DRAM、8.5Gbps LPDDR5X DRAM和36Gbps GDDR7 DRAM。三星還談到了 HBM-PIM、AXDIMM和CXL等定制DRAM解決方案。三星計劃到 2030 年實現(xiàn)亞納米DRAM。
在NAND領域，NAND制造商一直在增加垂直層數方面進行激烈競爭。SK海力士和美光都推出了200多層NAND技術，不過三星的看法是“重要的不是層數，而是生產力，并且專注于提供具有價格競爭力的更好解決方案?！?/span>
三星已經生產到了第八代V-NAND產品，層數大約是230層。三星表示，其第9代V-NAND正在研發(fā)中，預計2024年量產。到 2030 年，三星相信他們將在其 V-NAND 產品中創(chuàng)建超過1,000層。
在三星晶圓論壇上，三星很自豪的表示，他們是第一家采用SF3E GAA 工藝開始量產3nm產品的半導體制造商。三星還稱這些晶體管為 MBCFET（MBC 代表多橋通道）。5nm和4nm的FinFET工藝還在持續(xù)發(fā)展（綠色部分）；GAA節(jié)點從現(xiàn)在的3nm SF3E開始，到2025年達到2nm，2027年達到1.4nm?？梢钥闯觯窃谙冗M制程上的發(fā)展很激進，超越臺積電，是三星長久以來的目標。
要實現(xiàn)摩爾定律的繼續(xù)演進，還需要先進封裝技術的支持，三星在2020年8月公布了名為“X-Cube”的3D封裝技術，并表示該技術已成功試產，可用于制造7nm和 5nm芯片。三星的封裝技術涵蓋基于中介層的解決方案 (I-Cube)、混合解決方案 (H-Cube) 以及帶或不帶凸塊的垂直芯片集成 (X-Cube)。
國產存儲芯片再次遭遇打壓
美東時間周四（12月15日），美國政府將長江存儲、寒武紀、上海微電子裝備等在內的36家中國科技公司列入了“實體清單”，以期進一步阻撓和打壓中國科技行業(yè)的發(fā)展。
長江存儲是2016年7月在中國武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設計、生產和銷售的IDM存儲器公司，同時也是國內存儲行業(yè)的龍頭企業(yè)。
在2021年全球集成電路產品的細分市場中，存儲芯片以35%的市場份額位居第一，其次是邏輯芯片（32%）、微處理器（17%）和模擬芯片（16%）。其中存儲芯片分類包括內存和閃存，通常說的內存是指DRAM，閃存包括NAND FLASH 和NOR FLASH，其中長江存儲生產的就是NAND FLASH。
存儲市場的規(guī)模有多大？我們從2020年中國芯片進口的數據，就可以略知一二。
2020年，我國花了24000多億人民幣進口芯片。其中，有大概7000億元是用來進口存儲芯片的。在這些存儲芯片中，有大概1300億元屬于NAND FLASH。而這1300億絕大多數都是被韓美日三國所占有，比如韓國三星，它在NAND FLASH和DRAM市場均占據優(yōu)勢的市場份額，一度達到38%。之前我們造不出來內存芯片，不得不長期依賴進口，人家說什么就是什么，給你開個天價也只能捏著鼻子接受。
但自從長江存儲誕生后，這種情況就發(fā)生了巨變。
根據Trendforce對銷售數據的計算，2021年，長江存儲在全球的市占率達到3.4%。并以此預計，長江存儲的市占率在2022年可能會達到7%。雖然離三星還有一定的距離，但長江存儲在2016年才成立，可以說完全從零開始，能達到不到5%的市占率已經非常厲害了。
從技術方面來講，長江存儲有兩大核心技術，一個是Xtacking技術，另一個是3D堆疊工藝平臺。
先說說Xtacking技術，這是長江存儲基于傳統(tǒng)的NAND技術進行的一種突破性的創(chuàng)新，是完全自主可控的技術，具有自主知識產權。這種技術簡單來說，就是在指甲蓋大小的面積上實現(xiàn)數百萬根金屬通道的連接，合二為一成為一個整體，擁有與同一片晶圓上加工無異的優(yōu)質可靠性表現(xiàn)。這項技術為未來3D NAND帶來更多的技術優(yōu)勢和無限的發(fā)展可能，如今Xtacking技術已經到了2.0了 。
而這將會帶來更快的傳輸速度和更高的存儲密度，比如曾經一個采用Xtacking 2.0的測試芯片，讀取速度達到了7500 MB/s，寫入速度也高達5500 MB/s，這對消費端用戶來說，絕對是好事一樁。
而3D堆疊工藝平臺也是具有創(chuàng)新性的，而且這項技術不僅可以用于NAND領域，在DRAM、CMOS、邏輯等很多領域也會有很好的運用。
2017年，長江存儲做出了中國首款32層3D NAND，終結了存儲巨頭們長達數十年的技術壟斷。
2018年，長江存儲發(fā)布了業(yè)界首創(chuàng)的Xtacking技術，實現(xiàn)了讀取速度和存儲密度的雙重大幅提升。
尤其是前不久，長江存儲實現(xiàn)了232層3D NAND閃存的量產準備，擊敗了在這一行業(yè)中根深蒂固的玩家Kioxia、美光科技、三星電子和SK海力士，率先實現(xiàn)了200層以上NAND的生產成就，這標志著中國在存儲芯片技術上已取得領先優(yōu)勢。
換句話說，長江存儲用了5年左右的時間，已經趕超國外一些先進大廠，說咱們已經實現(xiàn)彎道超車，一點問題沒有。
中國大陸存儲芯片產業(yè)如何走出至暗時刻
美國政府將蘋果采購長江存儲的3D NAND閃存芯片提高至國家安全問題，如果長江存儲和合肥長鑫真的就此發(fā)展停滯甚至倒下，那么我國的信息安全如何得到保障？我國供應鏈穩(wěn)定不被隨時“卡脖子”如何保障？未來產業(yè)鏈的可持續(xù)發(fā)展如何保障?
1986年日本廠商在全球半導體市場所占份額超過50%，在世界DRAM市場所占的份額達到了80%。但由于未能把握消費級PC時代，加上美國通過廣場協(xié)議以及日美半導體協(xié)定的限制和韓國的強勢沖擊，日本半導體產業(yè)獲利能力下降，市占份額急速下滑，走向了衰敗的開始，今天日本半導體廠商在全球半導體市場所占份額僅僅約10%。
目前，在美國無底線的行動下，中國大陸集成電路產業(yè)發(fā)展的良好形勢沒有最壞，只有更壞。中國大陸存儲芯片產業(yè)已經乃至中國大陸芯片產業(yè)已經面臨至暗時刻，我們如何才能吸取他人的經驗教訓，不重蹈覆轍？
面對外部復雜的環(huán)境，我們絕對不能放松警惕。我們要拋棄一切幻想，行動起來，以更加開放的態(tài)度繼續(xù)促進跨全球供應鏈的合作。同時企業(yè)自身繼續(xù)頑強拼搏，政府要引導產業(yè)鏈上下游加強聯(lián)動，保護好中國大陸芯片產業(yè)鏈的基本面。
為此必須實施技術創(chuàng)新、自主研發(fā)、自主生產的國家戰(zhàn)略。對此我們仍要不斷堅持產業(yè)升級，不能因為限制而放棄發(fā)展；不斷提升研發(fā)投入，攻克“卡脖子”技術，早日走出一條自立自強的發(fā)展道路。
在戰(zhàn)略層面，要中央統(tǒng)籌，整合各方資源。首先大力招募高端技術人才，通過技術引進+自主開發(fā)，在引進、吸收現(xiàn)有的成熟技術基礎上，集成創(chuàng)新實現(xiàn)自主開發(fā)，逐步追趕先進工藝，直到超越；其次積極布局新型存儲器技術研究和開發(fā)，對目前的幾個新技術包括RRAM、MRAM、PRAM等均應投入資金和人才研究，而不要停留在討論那種技術未來可能勝出。只要能量產，總有用武之地。
在政策方面，由政府引導積極推進國產化戰(zhàn)略，加大信息產業(yè)整機和芯片的國產化率，真正實現(xiàn)安全可控。通過稅收調控，引導和鼓勵存儲器產業(yè)的投融資，構建良好的產業(yè)環(huán)境。
在資金層面，必需堅持持續(xù)、長期、大量的投資。如果我國定位于超越第一集團，扮演市場的領導者角色，需要達到30%左右的市場份額?？紤]現(xiàn)有技術的授權和吸收，生產技術的更新?lián)Q代，新技術的研究和開發(fā)，總投資應該是1萬億元甚至更多，并且這個投資是連續(xù)的、長期的。
在市場方面，國內的市場非常巨大，每年本地市場最少要消耗近1000億美元的存儲芯片。在如此巨大的市場推動下，能更好的發(fā)揮上下游的優(yōu)勢，改變目前存儲芯片國外壟斷造成的被動局面。
不要以為美國還給一口氣讓我們發(fā)展成熟工藝，在中國存儲的生死存亡的關鍵時刻，我們更要摒棄幻想，精誠團結，沉下心來，加強自主研發(fā)，走出一條中國自主的存儲芯片發(fā)展之路。
