原因是只有ASML能夠生產(chǎn)EUV光刻機，而要目前的芯片制造流程和工藝下，EUV光刻機是制造7nm及以下芯片必不可少的機器，沒有替代品。

所以我們看到三星、臺積電在爭搶EUV光刻機，因為EUV光刻機就決定了雙方的產(chǎn)能、工藝等等。

而我們也清楚，國內(nèi)的中芯曾經(jīng)也訂購過一臺EUV光刻機，不過美國中從干涉，現(xiàn)在是苦等EUV光刻機而不得，工藝停留在14nm，很難前進。

這樣的情況，當(dāng)然是全球所有晶圓廠，甚至可以說是全球的產(chǎn)導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)都不愿意看到的，一家企業(yè)卡住全球半導(dǎo)體的脖子，這怎么能行呢？

所以大家都在想辦法，繞過EUV光刻機，或者找到替代EUV光刻機的設(shè)備，解決卡脖子的問題。

目前有想從光刻機技術(shù)上解決的，比如佳能押注NIL技術(shù)，也就是納米壓印，將芯片的電路板，像打印機一樣，打印到硅片上，能夠比EUV光刻機精度更高，功耗更低，成本更低。

而美國企業(yè)在搞EBL電子束光刻機，用電子來替代EUV光源來進行光刻，美國公司Zyvex甚至用電子束光刻技術(shù)制造了768皮米，也就是0.7nm的芯片，但目前是這種光刻機無法大規(guī)模量芯片，產(chǎn)能不行，但還有改進空間。

另外還有自組裝（DSA）光刻技術(shù)，利用新的化學(xué)材料，讓電路圖直接在硅片上生成，不需要光刻，像比利時微電子中心、麻省理工學(xué)院，他們都建立了自組裝產(chǎn)線進行研究。

而除了這三種技術(shù)外，還有X-射線光刻。以及通過改進晶體管結(jié)構(gòu)，比如3D封裝、堆疊技術(shù)、Chiplet技術(shù)等，通過這些技術(shù)來微縮晶體管，提升晶體管密度，從而不需要EUV光刻機，也能提升性能。

還有就是研發(fā)新的材料，比如碳基芯片、光電子芯片、量子芯片等，通過這些新的技術(shù)，來繞過EUV光刻機。

可以說，目前ASML也是壓力山大，畢竟ASML的帝國，是靠EUV光刻機鞏固的，一旦EUV不再是不可替代，ASML的地位堪憂。

更重要是，通過ASML構(gòu)成的半導(dǎo)體生態(tài)，也將迎來大洗牌，這個洗牌，可能會影響全球的半導(dǎo)體格局，所以誰都不想錯過機會，誰也無法置身事外。