邏輯芯片，也就是大家熟悉的手機(jī)Soc、CPU、GPU等芯片，工藝提升的方面主要是進(jìn)行平面微縮，即制程越來越先進(jìn)，XXnm中這個XX數(shù)字越來越小。

但在是NAND閃存領(lǐng)域，單純靠微縮晶體管，是不可行的，因?yàn)檠芯勘硎?，?dāng)工藝達(dá)到了15nm左右時，再提升工藝，存儲芯片的性能會非常不穩(wěn)定，作為存儲芯片，數(shù)據(jù)無價，穩(wěn)定排第一。

所以不管是三星、還是美光、SK海力士們，這些芯片巨頭們發(fā)現(xiàn)，在NAND閃存芯片上，提升工藝是一方面，另外將芯片進(jìn)行3D立體堆疊，更是一個重要的方向。

所以我們看到介紹存儲芯片時，都是講XX層堆疊，比如64層堆疊，128層堆疊，192層堆疊等，層數(shù)越多，存儲密度越高，技術(shù)越先進(jìn)。

目前全球范圍內(nèi)，主要產(chǎn)品還是192層堆疊的NAND閃存芯片，而美光在今年上半年發(fā)布了232層堆疊的芯片，不過沒有大規(guī)模量產(chǎn)，也就是說還是PPT芯片。

但是，近日我們發(fā)現(xiàn)，國產(chǎn)NAND芯片支棱起來了，232層堆疊的NAND閃存芯片，我們領(lǐng)先于三星、美光率先規(guī)模量產(chǎn)了。

這家廠商就是長江存儲，大家發(fā)現(xiàn)目前在一些國產(chǎn)SSD中，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)大量使用了長江存儲232層的NAND閃存，這也是全球率先量產(chǎn)的232層NAND閃存。

這意味著長期以來，被美日韓壟斷的NAND市場，中國廠商領(lǐng)先打破了壟斷。而2016年才成立的長江存儲，其實(shí)只花了6年時間，就實(shí)現(xiàn)了從落后10多年，到領(lǐng)先于全球。

對此不知道大家怎么看？可見，只要國內(nèi)的企業(yè)肯鉆研，肯努力，就沒有中國搞不定的芯片，NAND如此，CPU、GPU也是如此，你覺得呢？

當(dāng)然，量產(chǎn)了232層的NAND閃存芯片后，還只是邁出了一小步，畢竟我們還需要擴(kuò)大市場，但相信有了技術(shù)，市場也就不用愁了，揚(yáng)以三星、美光等廠商顫抖吧，等著長江存儲發(fā)威吧。