當(dāng)前先進(jìn)芯片制造工藝獲得業(yè)界的廣泛關(guān)注，在ASML的EUV光刻機支持下延續(xù)了摩爾定律，然而到了如今硅基芯片已逐漸達(dá)到了物理極限，全球眾多芯片企業(yè)紛紛開發(fā)新技術(shù)試圖繞開EUV光刻機的限制。

對于現(xiàn)有的硅基芯片，全球最大的芯片制造企業(yè)臺積電研發(fā)先進(jìn)工藝已遇到了巨大阻力，3nm工藝已延遲了一年，在今年三季度研發(fā)成功后卻被蘋果認(rèn)為用它試產(chǎn)的A16處理器性能不達(dá)標(biāo)，成本卻太高，最終蘋果舍棄了3nm工藝，導(dǎo)致臺積電的3nm工藝面臨無客戶采用而沒有量產(chǎn)。

在先進(jìn)工藝研發(fā)難度、成本高的情況下，臺積電如今也開始轉(zhuǎn)向以封裝技術(shù)提升現(xiàn)有工藝的性能以滿足芯片企業(yè)的要求，臺積電已聯(lián)合了19家芯片企業(yè)成立“3D Fabric ”聯(lián)盟，以先進(jìn)的封裝技術(shù)提高5nm、7nm等現(xiàn)有工藝的性能，甚至可以提升無需EUV光刻機的7nm、16nm工藝芯片的性能。

臺積電是ASML的第一大客戶之一，更是EUV光刻機的主要買家，在臺積電給了ASML一記重錘之后，ASML一直順從的美國卻又給了它一記重錘。美國芯片企業(yè)美光表示繞開EUV光刻機研發(fā)的10nm級別的1β工藝提升了存儲密度30％，而功耗降低了20％，更重要的是成本大幅下降，這主要是因為EUV光刻機比美光現(xiàn)在采用的EUV光刻機貴了2－3倍。

其次是美國光刻機企業(yè)Zyvex公司研發(fā)電子束光刻機，繞開了ASML的EUV光刻機，并且將先進(jìn)工藝提升到0．768納米，打破了ASML尚未量產(chǎn)的第二代EUV光刻機的極限，為芯片制造開辟了新的道路，如此一來美國芯片企業(yè)未來很可能不再采購ASML的EUV光刻機。

臺積電和美國芯片企業(yè)都在舍棄ASML的EUV光刻機，ASML終于開始重新將目光放在中國市場，近期表示將大舉擴張光刻機的產(chǎn)能，EUV光刻機產(chǎn)能將提升到90臺，DUV光刻機產(chǎn)能增加至600臺，然而它遲遲未能對中國自由出貨，而中國芯片已經(jīng)等不及了。

中國芯片制造企業(yè)以現(xiàn)有的DUV光刻機將芯片制造工藝推進(jìn)至7nm，國內(nèi)的芯片封裝企業(yè)通富微電等又研發(fā)了5nm芯粒封裝技術(shù)，如此國產(chǎn)芯片可望提供接近5nm工藝性能的芯片，對ASML的EUV光刻機需求迫切性下降。

在現(xiàn)有芯片技術(shù)之外，中國還在加緊開發(fā)量子芯片、光子芯片、石墨烯芯片等技術(shù)，不少國內(nèi)芯片企業(yè)都公布了它們的相關(guān)專利，顯示出中國在先進(jìn)芯片技術(shù)方面的突破，其中光子芯片更是中國最快實現(xiàn)商用的技術(shù)。

早前中國一家企業(yè)就被媒體報道已籌建全球第一條光子芯片生產(chǎn)線，預(yù)計最快在明年量產(chǎn)，一旦光子芯片實現(xiàn)商用，那將徹底革新當(dāng)下的芯片技術(shù)，光子芯片的性能比硅基芯片高1000倍，功耗則只有硅基芯片的千分之一，具有廣闊的應(yīng)用前景。

這一切無不顯示出全球芯片行業(yè)都在繞開成本昂貴的EUV光刻機，降成本已成為芯片行業(yè)的共識，可以說以獨有的先進(jìn)EUV光刻機稱霸全球芯片制造行業(yè)的ASML已到了落幕的時候，尤其是ASML一直順從的美國繞開EUV光刻機更是給它重?fù)簦珹SML的艱難日子或許正在到來。