在日本研發(fā)成功無需光刻機的NIL工藝之后，近日美國一家企業(yè)Zyvex Labs 也宣布推出無需ASML的芯片制造工藝，并且制造工藝可達到0．768nm，打破了當前光刻機預期的1．8nm工藝極限，這對于ASML來說無疑是重大打擊。

全球各個經濟體研發(fā)無需光刻機的工藝，在于當下的光刻機實在太貴了，第一代EUV光刻機的價格達到1．2億美元，第二代EUV光刻機達到4億美元，昂貴的芯片制造設備正在快速推高芯片制造的成本。

此前臺積電曾計劃量產的3nm工藝最終沒有一個客戶接受，除了該工藝量產時間晚、性能不達標之外，還在于它的成本太高了，之前愿意采用該工藝的客戶僅有Intel和蘋果；至于三星的3nm工藝則沒有公開客戶，普遍認為采用了三星3nm工藝客戶規(guī)模也不會太大。

如此情況下，芯片行業(yè)已開始探索無需光刻機的芯片制造工藝，進而降低芯片制造的成本。日本無疑是開創(chuàng)者，日本開發(fā)的NIL工藝已投入實際生產，被鎧俠用于生產存儲芯片，近期日本方面宣布NIL工藝已推進至10nm以下，預計NIL工藝可以推進至5nm。

如今美國的Zyvex也宣布推出了無需光刻機的芯片制造工藝，意味著通過技術變革是可以在當前以光刻機作為主要芯片制造設備的工藝有更多途徑，尤為可喜的是Zyvex的工藝可以做到比以ASML的第二代EUV光刻機所能達到的1．8nm更先進，這可能會要了ASML的命。

其實ASML稱霸光刻機市場也不過是自2008年開始，此前光刻機市場的兩強是日本的佳能和尼康，ASML通過與臺積電研發(fā)浸潤式光刻機，共同取得了巨大的成功，ASML成為光刻機市場的老大，臺積電則在芯片制造工藝居于全球領先水平，而日本的佳能和尼康則迅速衰落。

ASML的崛起其實也證明了技術的變革可以迅速成就一家企業(yè)，當然也會導致原來的贏家迅速衰落，同樣的如今隨著芯片制造技術的變革，那么ASML也是有可能迅速衰落的，正所謂后浪推前浪，前浪死在沙灘上。

ASML發(fā)展的浸潤式的光刻機如今也已有近20年時間了，這近20年時間，ASML一直沿著浸潤式光刻機的方向發(fā)展，并未有取得新的技術變革，然而正如上所述延續(xù)這條技術路線，導致芯片制造工藝的成本越來越高，到如今已經高到太多芯片企業(yè)已無法承受的地步。

日本研發(fā)NIL工藝和美國Zyvex研發(fā)的無需光刻機的芯片制造工藝，意味著全球芯片制造技術又已經到了變革的前夜，隨著新的芯片制造技術到來，ASML的光刻機業(yè)務或許也就到了終結的時候了，ASML或許也將迅速步佳能和尼康的后塵而衰落。

日本研發(fā)NIL工藝和美國Zyvex研發(fā)先進工藝，對于中國芯片制造業(yè)來說無疑是重大啟發(fā)，意味著推進無需光刻機的制造工藝正日益成熟，中國完全可以撇開ASML研發(fā)類似的無需光刻機的工藝，一旦中國取得成功，那么中國芯片制造業(yè)將可以實現(xiàn)彎道超車，這或許會讓ASML瑟瑟發(fā)抖吧。