據(jù)悉，這將是20年來(lái)在美國(guó)本土新建的首家內(nèi)存芯片制造廠，也是愛(ài)達(dá)荷州有史以來(lái)最大的私人投資項(xiàng)目。再者，這項(xiàng)投資計(jì)劃將在2030年前總共創(chuàng)造1.7萬(wàn)個(gè)就業(yè)機(jī)會(huì)，其中該公司將直接創(chuàng)造2000個(gè)崗位。

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編者了解到，這項(xiàng)投資確保了DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和NAND閃存的美國(guó)國(guó)產(chǎn)化。此前，這類(lèi)芯片大部分產(chǎn)自亞洲。新設(shè)施生產(chǎn)的內(nèi)存將用于汽車(chē)、數(shù)據(jù)中心、人工智能（AI）和5G等領(lǐng)域。

顯然，美光正在按照美國(guó)政府希望的方式行事，那就是在美國(guó)建造制造工廠。這項(xiàng)投資決定是在美國(guó)總統(tǒng)拜登簽署《芯片法案》之后做出的，美光稱(chēng)愛(ài)達(dá)荷州提供的激勵(lì)措施也發(fā)揮了重要作用。

當(dāng)然，上述新的尖端內(nèi)存芯片制造工廠將推動(dòng)美國(guó)爭(zhēng)取技術(shù)領(lǐng)先地位。

不過(guò)，值得警惕的是，美光沒(méi)有提供新工廠產(chǎn)能或?qū)⑸a(chǎn)的芯片類(lèi)型等細(xì)節(jié)。此次擴(kuò)張正值美光因需求疲軟而下調(diào)其第四季度營(yíng)收預(yù)期之際，其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手同行希捷也大幅下調(diào)了第一財(cái)季的預(yù)期。

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另一方面，從頭部日韓廠商來(lái)看，最新數(shù)據(jù)顯示，二季度三星電子NAND閃存的銷(xiāo)售額為59.8億美元，環(huán)比下滑5.4%，所占的份額也由上一季度的35.3%，降至33%。鎧俠NAND閃存在二季度的銷(xiāo)售額為28.32億美元，環(huán)比下滑16.3%。

無(wú)可否認(rèn)，近兩年，疫情推動(dòng)數(shù)字化轉(zhuǎn)型，筆記本電腦和服務(wù)器刺激了NAND閃存消費(fèi)快速增長(zhǎng)。為了滿(mǎn)足需求，制造商一直在積極擴(kuò)張，加速了128層以上產(chǎn)品的產(chǎn)量。

然而，2022年下半年NAND閃存市場(chǎng)形勢(shì)急劇惡化，智能手機(jī)和筆記本電腦的采購(gòu)訂單需求急劇調(diào)整，表明市場(chǎng)供過(guò)于求。展望2023年，各消費(fèi)電子品牌的保守態(tài)度可能導(dǎo)致明年市場(chǎng)行情難以改善，刺激供應(yīng)商加緊搶占市場(chǎng)份額。

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此次據(jù)悉，美光計(jì)劃在2030年前投資400億美元，分多個(gè)階段在美國(guó)建設(shè)制造設(shè)施，以支持其在美國(guó)弗吉尼亞州、日本、新加坡等地的工廠。這項(xiàng)計(jì)劃估計(jì)總共可創(chuàng)造4萬(wàn)個(gè)就業(yè)機(jī)會(huì)。

因此，若部分廠商不減產(chǎn)，市場(chǎng)再度出現(xiàn)盤(pán)整的可能性增加。尤其是供應(yīng)商數(shù)量并沒(méi)有減少，長(zhǎng)期來(lái)看NAND閃存的價(jià)格會(huì)有很大的波動(dòng)。同時(shí)，一些制造商可能會(huì)發(fā)現(xiàn)難以跟上技術(shù)遷移的速度，因?yàn)橄蚋呒夹g(shù)水平的生產(chǎn)過(guò)渡將增加資本支出。因此，這波價(jià)格暴跌可能是市場(chǎng)盤(pán)整的開(kāi)始。

展望第四季度NAND閃存晶圓價(jià)格，由于廠商已實(shí)施不惜一切代價(jià)維持市場(chǎng)份額的策略，合約及現(xiàn)貨市場(chǎng)晶圓價(jià)格面臨崩盤(pán)。因此，TrendForce 認(rèn)為，NAND閃存晶圓價(jià)格在2022年第四季度可能再降20%，且由于行業(yè)傾向于在第四季度和隨后的第一季度協(xié)商定價(jià)，因此在庫(kù)存上升和需求冷淡的陰影下，這種降幅可能會(huì)繼續(xù)擴(kuò)大。