8 月 18 日消息，據(jù)中國(guó)臺(tái)灣《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，三星強(qiáng)攻晶圓代工先進(jìn)制程，繼 6 月底宣布 3nm 領(lǐng)先業(yè)界量產(chǎn)后，4nm 良率顯著提升，正著手?jǐn)U產(chǎn)，預(yù)計(jì)今年 Q4 每月新增 2 萬(wàn)片產(chǎn)能，并規(guī)劃在 4nm 上豪擲約 50000 億韓元（約 258 億元人民幣）投資，與臺(tái)積電一較高下，欲從臺(tái)積電手上搶下更多高通、AMD、英偉達(dá)等大廠晶圓代工訂單。

對(duì)于相關(guān)消息，三星表示，無(wú)法確認(rèn)產(chǎn)量和投資增加問(wèn)題。臺(tái)積電昨天也未回應(yīng)相關(guān)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手信息。

業(yè)界指出，三星晶圓代工產(chǎn)能過(guò)往約六成提供自家芯片生產(chǎn)，其余承接委外訂單，今年積極擴(kuò)產(chǎn)，并擴(kuò)大承接晶圓代工訂單，將自家芯片產(chǎn)能占比降至五成。研究機(jī)構(gòu)估計(jì)，三星在先進(jìn)制程產(chǎn)能規(guī)模上仍僅約臺(tái)積電五分之一。

獲悉，三星電子采用 3nm 制程工藝所代工的首批芯片在 7 月 25 日正式發(fā)貨。他們的這一制程工藝，在業(yè)內(nèi)率先采用全環(huán)繞柵極晶體管架構(gòu)，量產(chǎn)和發(fā)貨時(shí)間，都早于他們的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電。

今年 4 月有消息稱(chēng)，三星 4nm 節(jié)點(diǎn)產(chǎn)能提升出現(xiàn)一些延遲，但已經(jīng)進(jìn)入預(yù)期的收益率曲線；其 5nm 良品率進(jìn)入成熟期，這意味著良品率已經(jīng)進(jìn)入三星的預(yù)期水平。有傳聞稱(chēng)，三星電子代工公司的 4nm 制程產(chǎn)量被推遲，導(dǎo)致英偉達(dá)等大客戶將代工公司的新一代產(chǎn)品委托給臺(tái)積電代工。