8月4日消息，據美國白宮當地時間周三（3日）發(fā)布公告，美國總統(tǒng)拜登將于當地時間8月9日簽署價值約527億美元的芯片補貼法案，包括為晶圓廠提供價值約240億美元的投資稅收抵免。拜登表示，“該法案有助于我們?yōu)槊绹就涟雽w制造注入活力”。

需要指出的是，該法案也明確要求獲得美國“芯片法案”補貼支持的半導體企業(yè)，在未來十年內禁止在中國大陸新建或擴建先進制程的半導體工廠。此舉或將使得臺積電、三星、英特爾、環(huán)球晶圓等眾多已經或正計劃在美國投資的廠商陷入兩難，因為接受補貼，將導致其后續(xù)在中國大陸的投資受阻。

在“芯片法案”即將落地的同時，近期美國為限制中國大陸半導體產業(yè)的發(fā)展還打出一套“組合拳”。一方面，對中國大陸禁售14nm及以下先進制程設備，同時爆料還顯示，美國還將對中國大陸禁售128層3D NAND制造所需的設備。這也意味著，即使臺積電、三星、SK海力士等芯片制造商未來即使想在中國大陸發(fā)展先進也將受限。

此外，美國還計劃對中國大陸禁售與GAA（環(huán)繞柵極）相關的EDA工具，這將限制中國大陸芯片設計廠商向尖端制程發(fā)展，等于是阻斷了臺積電、三星、英特爾獲取來自中國客戶的尖端制程芯片的訂單。

在此背景之下，將進一步迫使臺積電、三星、SK海力士等芯片制造商重新考慮未來在中國大陸的投資布局計劃，并將其吸引到對美國的投資。

據金融時報當地時間8月3日報道，受美國芯片法案限制條款及美國持續(xù)限制大陸半導體產業(yè)發(fā)展的背景之下，韓國三星電子和SK海力士開始重新評估中國大陸投資案。

資料顯示，三星西安NAND Flash閃存工廠是三星唯一的海外閃存工廠。其中，三星西安閃存工廠一期項目（第一工廠）于2012 年9 月開工，2014 年5 月投產，預計總投資為70 億美元，但隨后在一期項目進行擴建后，使得整體投資金額達到了108.7 億美元。

2017年8月30日，三星決定投資70億美元在西安高新區(qū)進行二期項目建設，即建設第二座12吋NAND Flash晶圓廠，隨后在2019年12月，三星計劃再投資80億美元對于第二工廠進行擴產，使得總投資金額到150 億美元。此前，三星西安NAND Flash第二工廠已于2021年投產，而第二工廠的擴產也已于今年2月完成，數月前已開始投產。

統(tǒng)計數據顯示，目前三星在西安的兩座3D NAND工廠，投片量占該公司 NAND 閃存總產能的 42.3%，全球產能占比也高達 15.3%。

至于SK海力士，其于2020年收購了英特爾NAND閃存業(yè)務，其中包括英特爾大連閃存工廠。2021年，SK海力士順利完成第一階段交割。為加快推動項目發(fā)展，決定在大連繼續(xù)擴大投資并建設新工廠。

在大連新建NAND閃存工廠的同時，SK海力士還通過追加投資對無錫、重慶工廠進行了產能擴充，并重點推進了8英寸晶圓代工合資廠、產業(yè)園等多個不同領域的在華項目。

資料顯示，目前SK海力士的晶圓代工業(yè)務，主要由旗下的SK Hynix System IC負責。SK Hynix System IC已經將原本在韓國清州的8吋晶圓廠（M8）搬到了中國無錫，原本的月產能約為10萬片8吋晶圓，主要生產8吋CMOS圖像傳感器（CIS）及電源管理芯片。在晶圓代工市場方面，占據約2%的市場份額。

報道稱，一位資深韓國官員表示，隨著時間過去，韓國在中國的數項新的芯片投資案可能會遭“放棄”，“要是中方不開心，得去跟美國談”，這顯示美國力促芯片大廠脫中轉美的努力，初見成效。

SK Securities研究主管兼韓國政府半導體政策顧問Kim Young-woo說，芯片法案當中防堵中國大陸的“護欄”條款，促使韓國芯片廠未來布局從中國轉向美國。美中科技戰(zhàn)讓韓國廠商反思，如今的地緣政治風險，讓他們更偏向美國。三星和SK海力士如果不使用美國設備和技術，則無法量產尖端芯片，兩家公司或將在美國打造更多工廠。如果必須在美中之間做抉擇，他們只能挑選美國。

今年5月才卸任的韓國經濟部官員Yeo Han-koo也說，韓企開始“調整”美中策略。新經濟秩序正在型塑當中，企業(yè)重新評估局面，并據此調整戰(zhàn)略。