EUV光刻機(jī)是當(dāng)下最先進(jìn)的芯片生產(chǎn)制造設(shè)備，主要用于生產(chǎn)制造7nm及以下制程的芯片，可以說，EUV光刻機(jī)出現(xiàn)后，其就供不應(yīng)求。

據(jù)悉，ASML將大量的EUV光刻機(jī)出貨給了臺積電，剩下的則出貨給了三星和英特爾，由于三星的數(shù)量少于臺積電，所以在產(chǎn)能和良品率方面相對落后。

在這樣的情況下，三星李在镕親自前往荷蘭總部，目的是想獲得更多EUV光刻機(jī)，并想優(yōu)先獲得下一代EUV光刻機(jī)等更先進(jìn)的設(shè)備。

而國內(nèi)廠商早就全款訂購了一臺EUV光刻機(jī)，但由于各種原因，至今都沒有到貨，ASML也明確表示在沒有許可的情況下，EUV光刻機(jī)是無法自由出貨。

沒有EUV光刻機(jī)，就無法量產(chǎn)7nm等制程的芯片，這實際上是一個錯誤的觀點，而且，還把EUV光刻機(jī)給神化了，實際上，沒它一樣量產(chǎn)7nm芯片。

首先，第一代7nm芯片就是用DUV光刻機(jī)量產(chǎn)的，臺積電就是這么干的，采用的是多層曝光工藝，只不過，相比EUV光刻機(jī)有點費(fèi)事。

目前，廠商已經(jīng)用多層曝光工藝量產(chǎn)了14nm芯片，良品率等敢于同國際大廠相比較，這說明國內(nèi)廠商掌握的多層曝光工藝已經(jīng)十分純熟了。

在這樣的情況下，用DUV光刻機(jī)量產(chǎn)7nm芯片有戲，畢竟，都是采用多層曝光工藝。

更何況，廠商都已經(jīng)小范圍內(nèi)試產(chǎn)了N+1工藝的芯片，這種芯片在邏輯面積上與臺積電的7nm芯片十分相似，只不過主打低功耗。

臺積電還明確表示用DUV光刻機(jī)也能夠量產(chǎn)5nm芯片，只不過工藝更復(fù)雜一些，成本更高一些。

要知道，越是先進(jìn)制程的芯片，其就是邏輯面積變小，更小的面積中內(nèi)置更多晶體管，使用DUV光刻機(jī)雖然有難度，只不過是工藝復(fù)雜、良品率會一些。

否則，廠商也不會在僅有DUV光刻機(jī)的情況下，就完成了7nm芯片的研發(fā)任務(wù)，還小范圍內(nèi)試產(chǎn)了N+1工藝的芯片。

其次，NIL工藝出現(xiàn)了。

NIL工藝的出現(xiàn)，讓EUV光刻機(jī)可以說徹底掉下神壇，因為在NIL工藝之下，根本就不用使用EUV光刻機(jī)，依舊可以將芯片制程縮小至5nm。

據(jù)了解，NIL工藝是一種壓印工藝，先刻上納米電路圖案，然后再將電路圖案“壓印”在晶圓上，就像蓋章一樣。

因為不需要使用類似EUV光刻機(jī)那樣先進(jìn)的鏡頭，所以成本低了很多。

根據(jù)佳能等發(fā)布的消息可知，使用NIL工藝量產(chǎn)的5nm芯片預(yù)計在2025年實現(xiàn)，相比EUV工藝而言，其成本降低90%，還能夠節(jié)約大量的能源費(fèi)用。

關(guān)鍵是，佳能等廠商有意在全球范圍內(nèi)推廣NIL工藝，讓這種工藝用于生產(chǎn)先進(jìn)的儲存芯片和非儲存芯片。

最后，光電芯片也是好的解決方案

光電芯片完全不同于硅芯片，任正非都明確表示光電芯片技術(shù)可以完全繞開美芯技術(shù)，而華為在光電芯片領(lǐng)域內(nèi)，已經(jīng)布局十余年時間。

為了更好發(fā)展光電芯片技術(shù)，華為不僅計劃在劍橋附近建設(shè)華為全球研發(fā)中心，主要研發(fā)光電芯片，還在博士招聘中，多次公開招聘相關(guān)技術(shù)人才。

另外，荷蘭也宣布投資11億歐元到光電芯片領(lǐng)域內(nèi)，目的是想在下一代芯片技術(shù)方面保持領(lǐng)先，畢竟，其也想完全實現(xiàn)自由出貨。

更何況，光電芯片的制造工藝不同于硅芯片，自然也就談不上EUV光刻機(jī)了。所以才說別神化EUV光刻機(jī)，沒它一樣量產(chǎn)7nm芯片。對此，你們怎么看。