中商情報(bào)網(wǎng)訊：Nand-flash存儲(chǔ)器是flash存儲(chǔ)器的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。

市場(chǎng)現(xiàn)狀

1.市場(chǎng)規(guī)模

2020 年全球 NAND Flash 市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)銷售額為 571.95 億美元，同比增長 24.17%。2018 年初，4G 智能手機(jī)市場(chǎng)經(jīng)過數(shù)年發(fā)展趨于飽和，同時(shí)存儲(chǔ)原廠基本完成 3D NAND Flash 的工藝升級(jí)，導(dǎo)致晶圓單位存儲(chǔ)密度大幅度提升，NAND Flash 供過于求，價(jià)格迎來拐點(diǎn)并持續(xù)下跌，而由于存儲(chǔ)原廠產(chǎn)能投放充足，存儲(chǔ)原廠持續(xù)將產(chǎn)能傳導(dǎo)至渠道市場(chǎng)，市場(chǎng)規(guī)模仍保持增長慣性，直至 2019 年大幅回落。2020 年受新冠疫情影響，居家辦公、遠(yuǎn)程通信需求持續(xù)拉動(dòng)個(gè)人電腦、服務(wù)器市場(chǎng)增長，同時(shí)全球產(chǎn)能受疫情管制措施干擾，DRAM 與 NAND Flash 價(jià)格上漲，2020 年市場(chǎng)規(guī)模實(shí)現(xiàn)增長。預(yù)計(jì)，2022年將進(jìn)一步增長至631億美元。

數(shù)據(jù)來源：中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

2.存儲(chǔ)容量

隨著NAND Flash存儲(chǔ)原廠的產(chǎn)品生產(chǎn)工藝不斷更新發(fā)展，存儲(chǔ)晶圓工藝制程、電子單元密度、產(chǎn)品堆疊層數(shù)等經(jīng)歷了較大的技術(shù)更新，市場(chǎng)存儲(chǔ)密度的供給呈現(xiàn)出較快的增長速度。全球NAND Flash存儲(chǔ)容量一直保持增長，從2017年的1620億GB增長至2020年的5300億GB，年均復(fù)合增長率達(dá)35.38%，預(yù)計(jì)2022年將達(dá)6110億GB

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應(yīng)用分布

NAND Flash存儲(chǔ)晶圓的下游應(yīng)用主要以嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品（如eMMC、UFS）及固態(tài)硬盤（如SSD、PSSD）產(chǎn)品為主，其中SSD占比最多，達(dá)50%。嵌入式產(chǎn)品、存儲(chǔ)卡及存儲(chǔ)盤占比分別為35%和9%。

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