韓國(guó)三星電子周四宣布，公司已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)3納米芯片，是全球首家量產(chǎn)3納米芯片的公司。

三星在官方聲明中表示，公司已經(jīng)開始在其位于韓國(guó)的華城工廠大規(guī)模生產(chǎn)3納米半導(dǎo)體芯片。與前幾代使用FinFET的芯片不同，3納米芯片采用了新的 GAA（Gate All Around）晶體管架構(gòu)，該架構(gòu)大大改善了功率效率。與傳統(tǒng)的5納米芯片相比，第一代3納米芯片工藝可以降低45%的功耗，提高23%的性能，并減少16% 的面積。而第二代3納米芯片工藝則可以降低50%的功耗，提高30%的性能，面積減少35%。

雖然三星沒有透露其最新代工技術(shù)的客戶身份，但市場(chǎng)預(yù)計(jì)，三星本身和中國(guó)芯片設(shè)計(jì)公司上海磐矽半導(dǎo)體將是3納米芯片的首批客戶。

三星3納米芯片量產(chǎn)使得其生產(chǎn)進(jìn)度略快于同行。在同業(yè)競(jìng)爭(zhēng)方面，臺(tái)積電和英特爾分別計(jì)劃在今年下半年和明年下半年開始大規(guī)模生產(chǎn)3納米芯片。

雖然三星是全球第一個(gè)生產(chǎn)3納米芯片的公司，但臺(tái)積電正計(jì)劃在2025年實(shí)現(xiàn)2納米芯片的全球首個(gè)批量生產(chǎn)。

在本月初的股東會(huì)上，臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音才強(qiáng)調(diào)，臺(tái)積電的先進(jìn)制程的進(jìn)展都按照計(jì)劃發(fā)展中，預(yù)計(jì)2022下半年將量產(chǎn)3納米芯片。與三星不同的是，臺(tái)積電將仍采較為成熟的FinFET（Fin Field Effect Transistor，F(xiàn)inFET）工藝。一直到2025年量產(chǎn)2納米時(shí)，才會(huì)采用GAA技術(shù)。

在市場(chǎng)份額方面，臺(tái)積電依然牢牢保持的全球市場(chǎng)第一的寶座。根據(jù)TrendForce 的數(shù)據(jù)，目前臺(tái)積電控制著全球54%的芯片合同生產(chǎn)市場(chǎng)，三星以16.3%的市場(chǎng)份額排名第二。