韓國三星電子周四宣布，公司已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)3納米芯片，是全球首家量產(chǎn)3納米芯片的公司。

三星在官方聲明中表示，公司已經(jīng)開始在其位于韓國的華城工廠大規(guī)模生產(chǎn)3納米半導體芯片。與前幾代使用FinFET的芯片不同，3納米芯片采用了新的 GAA（Gate All Around）晶體管架構，該架構大大改善了功率效率。與傳統(tǒng)的5納米芯片相比，第一代3納米芯片工藝可以降低45%的功耗，提高23%的性能，并減少16% 的面積。而第二代3納米芯片工藝則可以降低50%的功耗，提高30%的性能，面積減少35%。

雖然三星沒有透露其最新代工技術的客戶身份，但市場預計，三星本身和中國芯片設計公司上海磐矽半導體將是3納米芯片的首批客戶。

三星3納米芯片量產(chǎn)使得其生產(chǎn)進度略快于同行。在同業(yè)競爭方面，臺積電和英特爾分別計劃在今年下半年和明年下半年開始大規(guī)模生產(chǎn)3納米芯片。

雖然三星是全球第一個生產(chǎn)3納米芯片的公司，但臺積電正計劃在2025年實現(xiàn)2納米芯片的全球首個批量生產(chǎn)。

在本月初的股東會上，臺積電董事長劉德音才強調(diào)，臺積電的先進制程的進展都按照計劃發(fā)展中，預計2022下半年將量產(chǎn)3納米芯片。與三星不同的是，臺積電將仍采較為成熟的FinFET（Fin Field Effect Transistor，F(xiàn)inFET）工藝。一直到2025年量產(chǎn)2納米時，才會采用GAA技術。

在市場份額方面，臺積電依然牢牢保持的全球市場第一的寶座。根據(jù)TrendForce 的數(shù)據(jù)，目前臺積電控制著全球54%的芯片合同生產(chǎn)市場，三星以16.3%的市場份額排名第二。