投資界6月8日消息，近日，第三代半導體企業(yè)南京寬能半導體有限公司（簡稱“寬能半導體”或“公司”）宣布完成超2億元天使輪融資。本輪融資由和利資本領投，渶策資本、云啟資本、國中創(chuàng)投資本、毅達資本、金浦投資、亞昌投資、君盛投資、富華投資共同參與投資。

根據(jù) Yole 預測，到 2025 年新能源汽車將是碳化硅功率器件最主要的應用。隨著新能源汽車銷量的快速提升，碳化硅功率器件在電機驅動、OBC、DC/DC等部件中的應用還將為其打開更加廣闊的市場。全球電動汽車領導者特斯拉已在Model3上使用碳化硅MOSFET作為其馬達逆變器解決方案，以取代傳統(tǒng)硅基IGBT。預計未來新能源汽車上碳化硅MOSFET的需求量將遠超于碳化硅二極管，無法生產高良率碳化硅MOSFET的器件廠將失去市場。而器件制造作為碳化硅產業(yè)鏈的重要環(huán)節(jié)，對產品的良率和性能起到?jīng)Q定性作用。

寬能半導體成立于2021 年 11 月，公司核心團隊包括多名國際一流的碳化硅半導體工藝和制造專家，掌握碳化硅器件全工藝流程核心技術，并具備20年以上相關產品量產經(jīng)驗。公司首條產線落地南京，正在建設中，建成后將是國內最大的碳化硅半導體晶圓廠。

寬能半導體深耕功率半導體器件代工領域，為國內外半導體設計公司和IDM廠商提供高良率、高品質且具競爭力的產品。公司的自有標準工藝平臺可協(xié)助客戶迅速導入量產，促進工藝技術迭代。同時公司支持新產品開發(fā)，提供客制化工藝服務。公司同時具備溝槽型MOSFET工藝。由于目前全球可量產的碳化硅溝槽結構高度稀缺，僅有ROHM的雙溝槽結構、英飛凌的半包溝槽結構、日本住友的接地雙掩埋結構，器件結構的技術壁壘將為公司產品帶來成本和性能上的優(yōu)勢。