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三星內(nèi)存技術(shù)突然落后!決定中斷12nm DRAM芯片開發(fā):直上11nm

2022-04-15 來源:驅(qū)動之家
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關(guān)鍵詞: 三星

三星不僅是世界第一大DRAM內(nèi)存芯片供應(yīng)商,技術(shù)水平也是最先進。


據(jù)BusinessKorea,三星要求研發(fā)人員停止1b工藝DRAM芯片的開發(fā),也就是跳過12nm,直接跨代到1c,即11nm。


三星設(shè)定了非常激進的目標,即在今年6月完成并凍結(jié)11nm、第六代DRAM芯片的開發(fā)工作。


此前的說法是三星1b(12nm)DRAM芯片遇到困難,搞不定。不過就最新的報道來看,似乎并非如此,當(dāng)然,最終實情如何,還得拿實物量產(chǎn)說話。


報道指出,三星此舉目的在于重新拉開與競爭對手SK海力士、美光的技術(shù)差距,其原因在于1a DRAM芯片量產(chǎn)上,三星實際上落后于競爭對手。


事實上,這并非三星第一次在DRAM芯片上計劃“彎道超車”,當(dāng)年對手都在搞28nm DRAM時,三星聚焦更先進的25nm工藝,結(jié)果高風(fēng)險最終促成高收益。




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