4 月 7 日，意法半導(dǎo)體 VIPerGaN50能夠簡(jiǎn)化最高50 W的單開(kāi)關(guān)反激式功率變換器設(shè)計(jì)，并集成一個(gè) 650V 氮化鎵 (GaN) 功率晶體管，使電源的能效和小型化達(dá)到更高水平。

VIPerGaN50 采用單開(kāi)關(guān)拓?fù)洌珊芏喙δ?，包括?nèi)置電流采樣和保護(hù)電路，采用低成本的 5mm x 6mm 緊湊封裝。芯片內(nèi)部集成的GaN 晶體管可應(yīng)用于高開(kāi)關(guān)頻率，從而減小反激變換器的體積和重量。使用這款產(chǎn)品設(shè)計(jì)先進(jìn)的高能效開(kāi)關(guān)電源 (SMPS)，可顯著減少外圍元器件的數(shù)量。

VIPerGaN50 可幫助設(shè)計(jì)人員利用 GaN 寬禁帶技術(shù)來(lái)滿(mǎn)足日益嚴(yán)格的生態(tài)設(shè)計(jì)規(guī)范，在全球?qū)崿F(xiàn)節(jié)能降耗和凈零碳排放。目標(biāo)應(yīng)用包括消費(fèi)電源和工業(yè)電源，例如，電源適配器、USB-PD 充電器，以及家用電器、空調(diào)、LED 照明設(shè)備和智能儀表的電源。

該變換器有多種不同的工作模式，在所有輸入電壓和負(fù)載條件下，可最大限度提高電源能效。在高負(fù)載下，準(zhǔn)諧振 (QR) 模式配合零壓開(kāi)關(guān)可最大限度地減少導(dǎo)通損耗和電磁輻射 (EMI)。在輕負(fù)載下，跳谷底模式可以控制開(kāi)關(guān)損耗，并利用意法半導(dǎo)體專(zhuān)有的谷底鎖定技術(shù)防止產(chǎn)生人耳可以聽(tīng)到的噪聲。頻率折返模式配合零壓開(kāi)關(guān)可確保在輕負(fù)載條件下實(shí)現(xiàn)盡可能高的能效。自適應(yīng)間歇工作模式可以在極低負(fù)載條件下最大程度降低功率損耗。此外，先進(jìn)的電源管理功能可將待機(jī)功率降至 30mW 以下。

芯片內(nèi)置功能確保電源的安全性和可靠性，包括輸出過(guò)壓保護(hù)、brown-in/brown-out，以及輸入過(guò)壓保護(hù)。還提供輸入電壓前饋補(bǔ)償，以最大限度地減少輸出峰值功率變化。其他安全功能包括嵌入式過(guò)溫保護(hù)和最大限度地減少 EMI的頻率抖動(dòng)功能。

VIPerGaN50 現(xiàn)已投產(chǎn)，采用 5mm x 6mm QFN 封裝。該器件有免費(fèi)樣片，可在意法半導(dǎo)體的網(wǎng)上商城 eSTore 上申購(gòu)。