眾所周知，目前全球最牛的光刻機廠商是ASML，并且全球僅有它能夠研發(fā)EUV光刻機，用于7nm及以下的芯片。

而像佳能、尼康、上海微電子的光刻機，均無法支持7nm及以下的芯片制造，更多的只能用于中、低檔的晶圓制造。

所以EUV光刻機也成為了各大晶圓制造廠必爭產(chǎn)品，而其它的光刻機廠商，必然也想造出自己的EUV光刻機來。

但ASML在EUV光刻機上，是設(shè)了幾道坎的，比如收購了美國企業(yè)Cymer，后來又與德國的TRUMPF獨家合作，還與卡爾蔡司獨家合作，從光源到透鏡、到供應(yīng)鏈方面，讓其它企業(yè)沒法追上。

所以對于其它光刻機企業(yè)而言，按照ASML的方式，其實是很難追上ASML的，得到了供應(yīng)鏈的支持，EUV光刻機就難以研發(fā)出來，所以換道超車也是另外一種考慮的方向。

特別是在后摩爾時代，芯片工藝越來越難，各大晶圓廠商都在發(fā)力3D封裝，小芯片技術(shù)、堆疊等半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)時，不再一味追求EUV光刻機，也成為了可選項。

而近日，有媒體報道稱，光刻機巨頭佳能正在開發(fā)用于半導(dǎo)體3D技術(shù)的光刻機，最早在2023年就會面市。

何謂3D光刻機，顧名思議，就是直接光刻3D堆疊的芯片。以前的芯片，都是一塊一塊晶圓來光刻，然后在封裝時進行3D堆疊。

但3D光刻機，可以在光刻時就實現(xiàn)3D結(jié)構(gòu)，采用堆疊的方式直接光刻，這樣大幅度提高效率和性能，也算是真正的換道超車。

按照報道稱，3D光刻機的曝光面積擴大至現(xiàn)有產(chǎn)品的約4倍，佳能是在原基礎(chǔ)上改進透鏡和鏡臺等光學(xué)零部件，來提高曝光精度，增加布線密度，從而實現(xiàn)3D光刻。

當(dāng)然，現(xiàn)在還只是報道，具體會不會實現(xiàn)，能不能實現(xiàn)還是未知數(shù)。如果佳能真的實現(xiàn)了這一技術(shù)，那么對于整個芯片制造產(chǎn)業(yè)而言，將會是一個巨大的改變。

想當(dāng)年ASML率先推出了浸潤式光刻機，用水來替代空氣做為介質(zhì)，從而奠定了自己成為全球第一大光刻機巨頭的基礎(chǔ)。

如今芯片制造工藝逼近摩爾極限，一味的提高光刻精度已經(jīng)越來越難，3D光刻技術(shù)，會不會成為另外一個爆款，改變光刻機格局，我們拭目以待吧。