眾所周知，在華為2021年財(cái)報(bào)發(fā)布會(huì)上，華為輪值董事長(zhǎng)郭平公開表示：“華為未來(lái)將推進(jìn)三個(gè)重構(gòu)，用堆疊、面積換性能，用不那么先進(jìn)的工藝也可以讓華為的產(chǎn)品有競(jìng)爭(zhēng)力”。

從這句表述中，大家可以看到，華為其實(shí)想到了兩個(gè)辦法，一是用堆疊、二是用面積增大的方式，將不那么先進(jìn)的芯片，也變成有競(jìng)爭(zhēng)力，就是比肩先進(jìn)芯片。

考慮到目前大陸最先進(jìn)的工藝是14nm，而像三星等晶圓大廠，最先進(jìn)的技術(shù)已經(jīng)是4nm，甚至要進(jìn)入3nm了。

于是很多網(wǎng)友表示，用14nm的工藝的芯片，利用堆疊、面積增大的方式，不說(shuō)比肩3nm，能比肩5nm么？

事實(shí)上，堆疊、面積增大的原理是一樣的，只是堆疊是上下這種結(jié)構(gòu)，而面積增大，更多指的是平鋪這種結(jié)構(gòu)。

按照中芯的工藝，14nm工藝時(shí)，其晶體管密度約為30MTr／mm，也就是每平方毫米達(dá)到3000萬(wàn)個(gè)。而TSMC的工藝，在5nm時(shí)晶體管密度為173MTr／mm，每平方毫米達(dá)到1．73億個(gè)。

這樣說(shuō)起來(lái)，TSMC的5nm工藝，其晶體管密度是中芯14nm的6倍左右。

芯片是由晶體管組成的，一定程度上我們可以先假設(shè)晶體管數(shù)量相同時(shí)，芯片的性能相同。那么如果要達(dá)到5nm芯片同樣的性能，要使用14nm的工藝時(shí)，其面積必須是5nm芯片的6倍才行，這個(gè)邏輯，應(yīng)該大家都能理解吧。

換句話來(lái)說(shuō)，一塊5nm芯片，如果在14nm工藝下，理論上需要6塊同樣大小的芯片，才能夠?qū)崿F(xiàn)同等的芯片，因?yàn)橹挥羞@樣，晶體管數(shù)量才一樣多。

而這6塊同樣大小的芯片，可以是平鋪，變成了原來(lái)面積的6倍大，這就是面積換性能。也可以是6塊上下疊加在一起，變得更厚，這就是堆疊。

就像上面圖示的一樣，當(dāng)然以上只是示例，實(shí)際堆疊不一定是6層，也可以是2張一層堆3層，或者3張一層堆2層，我畫得比較簡(jiǎn)單，但原理應(yīng)該說(shuō)清楚了。

在6倍面積，或者6倍厚的體積下，確實(shí)能夠讓14nm的芯片，實(shí)現(xiàn)了5nm芯片的性能，單說(shuō)性能，這確實(shí)是可行的。但面積增大也好，體積增厚也好，帶來(lái)了兩個(gè)缺點(diǎn)：

1、功耗應(yīng)該是原有芯片的6倍；

2、面積或體積是原有芯片的6倍；

在手機(jī)這種追求功耗、發(fā)熱、面積／體積的產(chǎn)品中，這種方式明顯不可行，內(nèi)部空間不足，電池太小，扛不住，發(fā)熱太大，也沒法用。

但在一些不追求功耗、面積／體積、發(fā)熱的機(jī)器中，其實(shí)是可以實(shí)現(xiàn)的，但這樣的機(jī)器會(huì)有多少？所以情況其實(shí)還是不容樂觀的。