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深圳辰達半導體有限公司

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高壓二極管應用中，是否有足夠銅箔/散熱片，結溫是否接近極限？

在半導體器件的可靠性設計中，溫度始終是一個繞不開的話題。無論是功率二極管、TVS 管還是高壓二極管，其壽命與結溫（Tj）有著直接關系?？蛻舫３枺何业碾娐分袇?shù)都選對了，為什么二極管仍然失效？作為 MDD辰達半導體 FAE，我們往往會追溯到一個核心問題——是否有足夠銅箔/散熱片支撐散熱，器件結溫是否已經(jīng)接近極限。

2025-09-17 閱讀：97
MDD開關二極管的合理 PCB 布局

MDD辰達半導體的開關二極管廣泛應用于電源電路、射頻（RF）電路和高速信號處理等領域，其主要作用是快速導通和關斷，以保證電路的正常運作。然而，開關二極管的性能不僅僅依賴于選型，還與 PCB 布局密切相關。合理的 PCB 布局能有效減小寄生電感和電容，避免信號干擾，提升開關效率和可靠性。作為 FAE，我們需要幫助客戶優(yōu)化布局設計，以提高電路的整體性能。

2025-09-11 閱讀：322 關鍵詞： MDD辰達半導體開關二極管 PCB布局寄生電感寄生電容
為什么開關二極管速度不夠快？

在電子電路設計中，二極管不僅用作整流和限幅，還常常作為開關元件應用在高頻和高速電路里。此類二極管被稱為開關二極管。它們的核心特性是能夠快速完成導通與關斷，從而不影響電路的工作速度。然而，在實際應用中，工程師常常發(fā)現(xiàn)：二極管在電路中表現(xiàn)出開關速度不夠快的問題，導致波形畸變、效率下降甚至邏輯錯誤。這一現(xiàn)象的背后有多方面的原因。

2025-09-10 閱讀：338 關鍵詞：開關二極管開關速度反向恢復時間結電容二極管選型
MDD靜電二極管選型只看“靜電電壓等級”就夠了嗎？

在電子產(chǎn)品設計中，MDD辰達半導體的靜電二極管是最常用的接口防護器件。許多工程師在選型時，往往會首先關注器件的 ESD 等級，例如標稱可承受 ±8kV 接觸放電或 ±15kV 空氣放電。似乎只要電壓等級夠高，器件就能滿足應用需求。然而，實際項目中我們經(jīng)常發(fā)現(xiàn)：即使標稱等級很高的 ESD 管，在實際應用中仍可能失效，導致接口芯片損壞。這說明，僅僅依賴“靜電電壓等級”來選型是不夠的。

2025-09-04 閱讀：469 關鍵詞：靜電二極管選型 ESD電壓等級局限關鍵參數(shù) 選型思路電子產(chǎn)品接口防護
為什么 ESD 測試能過，但實際應用還是被擊壞？

在電子產(chǎn)品的開發(fā)過程中，靜電放電（ESD）測試往往是 EMC 測試中的重要環(huán)節(jié)之一。很多客戶反饋：樣機在實驗室中按照 IEC 61000-4-2 標準進行 ESD 測試能夠順利通過，但產(chǎn)品在實際使用場景中仍然會出現(xiàn)接口失效、芯片損壞甚至整機死機的情況。這種現(xiàn)象讓工程師感到困惑：既然實驗室已經(jīng)驗證通過，為什么實際環(huán)境中仍會被靜電或浪涌擊壞？

2025-09-03 閱讀：486 關鍵詞： ESD測試實際環(huán)境差異浪涌防護器件選型 PCB布局
MDD穩(wěn)壓二極管開路失效問題解析

MDD穩(wěn)壓二極管（Zener Diode）作為電子電路中常見的電壓基準與保護元件，因其反向擊穿時能夠提供相對穩(wěn)定的電壓而被廣泛應用。然而，在實際使用過程中，穩(wěn)壓管并不是“永不失效”的器件，它也會出現(xiàn)開路、短路或參數(shù)漂移等問題。其中，開路失效是一種較為典型的失效模式，對電路功能影響很大。作為FAE，在現(xiàn)場支持客戶時，常常需要針對這種現(xiàn)象進行分析和解答。

2025-08-28 閱讀：158 關鍵詞： MDD 穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓管開路失效預防開路失效穩(wěn)壓電路
穩(wěn)壓二極管為什么電壓不穩(wěn)？

MDD辰達半導體的穩(wěn)壓二極管（Zener Diode）因其在反向擊穿區(qū)具有相對穩(wěn)定的電壓特性，被廣泛應用于電路基準源、過壓保護和小電流穩(wěn)壓場合。然而，在實際應用中，許多工程師或初學者會發(fā)現(xiàn)，穩(wěn)壓二極管在電路中的電壓并不總是像教科書里描述的那樣穩(wěn)定：有時電壓偏高，有時偏低，甚至隨負載和溫度變化而波動。那么，造成穩(wěn)壓二極管電壓不穩(wěn)的原因究竟有哪些呢？

2025-08-27 閱讀：250
浪涌多次作用后，TVS參數(shù)會不會漂移？

MDD辰達半導體-瞬態(tài)電壓抑制二極管（TVS）是一類專門用于吸收瞬態(tài)過電壓、保護電路中敏感元件的器件。它通過在過壓瞬間迅速擊穿導通，將能量分流至地，從而限制電壓尖峰幅度。許多工程師在使用過程中常常會問：如果系統(tǒng)多次遭受浪涌沖擊，TVS的參數(shù)會不會發(fā)生漂移？它還能保持原有的防護性能嗎？

2025-08-22 閱讀：186 關鍵詞： TVS 參數(shù)漂移浪涌沖擊防護性能應對策略
MDDTVS參數(shù)選型不清楚的常見問題解析

在電子產(chǎn)品的防護設計中，MDD瞬態(tài)電壓抑制二極管（TVS）被廣泛應用于應對靜電放電（ESD）、浪涌、電快速脈沖（EFT）等瞬態(tài)干擾。然而，許多工程師在選型過程中往往只關注某一兩個關鍵參數(shù)，而忽略了TVS在不同應用條件下的綜合特性，導致實際防護效果與預期差距較大，甚至引發(fā)器件失效或系統(tǒng)不穩(wěn)定。下面是TVS選型不清楚的典型問題。

2025-08-21 閱讀：352 關鍵詞： TVS選型工作電壓浪涌能力封裝參數(shù) 可靠性
并聯(lián)MOSFET設計指南：均流、寄生參數(shù)與熱平衡

在現(xiàn)代高效電源設計中，MOSFET并聯(lián)技術廣泛應用于要求大電流承載能力的電路中，如電動汽車、電源供應、功率放大器等。通過并聯(lián)多個MOSFET，可以大幅提高電路的電流處理能力、降低導通損耗，并增強系統(tǒng)的整體可靠性。然而，MOSFET并聯(lián)設計并非簡單的“多加幾個”過程，必須考慮到均流、寄生參數(shù)與熱平衡等諸多因素。本文將探討如何在實際設計中有效應對這些挑戰(zhàn)，優(yōu)化并聯(lián)MOSFET的性能。

2025-07-04 閱讀：3914 關鍵詞： MOSFET并聯(lián) 均流設計寄生參數(shù) 熱平衡性能優(yōu)化
MDD肖特基二極管的雪崩耐量及其工程意義

在功率器件的參數(shù)表中，我們常看到 MOSFET 的 Avalanche Energy (EAS) 或 Avalanche Current (IAR) 指標，用于描述器件在雪崩條件下的承受能力。然而，在 MDD肖特基二極管的規(guī)格書中，“雪崩耐量”并不總是顯式列出，甚至很多工程師會忽略這一特性。實際上，在高壓、大電流、感性負載場景下，SBD 也可能面臨雪崩沖擊，如果忽視這一點，輕則效率下降，重則器件擊穿失效。

2025-08-14 閱讀：270 關鍵詞：肖特基二極管雪崩耐量功率器件電路設計可靠性
MDD肖特基二極管在光伏與車載 OBC 的應用場景及案例

MDD肖特基二極管因其低?正向壓降（VF）、無明顯反向恢復時間（trr）和高頻特性，在高效率電源領域有著不可替代的作用。隨著新能源產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展，光伏發(fā)電系統(tǒng)與車載 OBC（On-board Charger，車載充電機）對功率器件提出了更高的效率、耐溫和可靠性要求。作為FAE，在項目支持中我們發(fā)現(xiàn)，SBD在這兩類應用中雖場景不同，但核心需求高度一致：降低功耗、提升效率、提高長期可靠性。

2025-08-13 閱讀：333 關鍵詞：肖特基二極管光伏應用車載OBC 選型建議效率提升

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