熱搜：
深圳市增正科技有限公司
高新企業(yè)
聯(lián)系人：曾生
聯(lián)系電話：13928429281
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華富路1006號(hào)航都大廈13E
SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K4U6E3S4AM-GUCL 為下一代移動(dòng)設(shè)備提供更快的速度 速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V ~0.6V 溫度-40~+125 LPDDR4X 200FBGA 封裝
價(jià)格：電微13928429281
SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K4UBE3D4AM-GFCL 為下一代移動(dòng)設(shè)備提供更快的速度 速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V ~0.6V 溫度-40~+95 LPDDR4X 200FBGA 封裝
SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K4UBE3D4AM-GHCL 為下一代移動(dòng)設(shè)備提供更快的速度 速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V ~0.6V 溫度-40~+105 LPDDR4X 200FBGA 封裝
SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K4UBE3D4AM-GUCL 為下一代移動(dòng)設(shè)備提供更快的速度 速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V ~0.6V 溫度-40~+125 LPDDR4X 200FBGA 封裝
SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K4UHE3D4AA-GFCL 為下一代移動(dòng)設(shè)備提供更快的速度 速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V ~0.6V 溫度-40~+95 LPDDR4X 200FBGA 封裝
SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K4UHE3D4AA-GHCL 為下一代移動(dòng)設(shè)備提供更快的速度 速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V ~0.6V 溫度-40~+105 LPDDR4X 200FBGA 封裝
SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K4UHE3D4AA-GUCL 為下一代移動(dòng)設(shè)備提供更快的速度 速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V ~0.6V 溫度-40~+125 LPDDR4X 200FBGA 封裝
SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K3LK2K20BM-BGCN 低功耗雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài) 速率5500Mbps 電壓1.8V~1.1V ~0.5V 溫度-25~+85 LPDDR5 496FBGA 封裝
SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K3KL3L30CM-BGCT 優(yōu)質(zhì)低功耗DRAM LPDDR5X 快1.3倍的速度和高出20%的效能 容量64Gb 速率7500Mbps 溫度-25~+85 496FBGA封裝
SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K3KL3L30CM-JGCT 優(yōu)質(zhì)低功耗DRAM LPDDR5X 快1.3倍的速度和高出20%的效能 容量64Gb 速率7500Mbps 溫度-25~+85 441FBGA封裝
SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K3KL3L30CM-MGCT 優(yōu)質(zhì)低功耗DRAM LPDDR5X 快1.3倍的速度和高出20%的效能 容量32Gb 速率7500Mbps 溫度-25~+85 315FBGA封裝
SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K3KL4L40DM-BGCT 優(yōu)質(zhì)低功耗DRAM LPDDR5X 快1.3倍的速度和高出20%的效能 容量96Gb 速率7500Mbps 溫度-25~+85 496FBGA封裝
