- TrendForce：受鎧俠原料污染事件影響，NAND Flash 合約價(jià) Q2 上漲約 3%-8%
- 消息稱 NAND 閃存價(jià)格今年下半年進(jìn)一步下跌，季度降幅達(dá)近 20%
- 又一家國(guó)產(chǎn)先進(jìn)NAND閃存即將量產(chǎn)！工藝：19納米
- 緊追 SK 海力士，三星電子將在今年推出 236 層 NAND 閃存
- 消息稱 SK 海力士正開(kāi)發(fā)基于 238層NAND的UFS4.0 閃存
- TrendForce 預(yù)計(jì) NAND 閃存需求明年增長(zhǎng) 28.9%，供給增長(zhǎng) 32%
- SK 海力士介紹 238 層 4D NAND 閃存：傳輸速度提升 50%，能耗減少 21%
- SK 海力士開(kāi)發(fā)出 238 層 NAND 閃存芯片，明年上半年量產(chǎn)
- SK 海力士擬年內(nèi)試產(chǎn) 238 層 NAND 閃存
- SK海力士擬年內(nèi)試產(chǎn)238層NAND閃存
