- 英特爾：已開始采用極紫外光刻技術(shù)大規(guī)模量產(chǎn)Intel 4制程節(jié)點
- 俄羅斯提出產(chǎn)業(yè)發(fā)展路線圖，計劃 2027 年量產(chǎn) 28nm 芯片
- 臻驅(qū)科技完成6億元D輪融資 碳化硅功率半導(dǎo)體未來兩年量產(chǎn)
- 26.05%！TOPCon電池量產(chǎn)新紀錄
- 消息稱三星泰勒工廠明年量產(chǎn) 4nm Exynos 芯片，用于 Galaxy S25 系列
- 英特爾推出首款用于下一代先進封裝的玻璃基板，預(yù)計 2026-2030 年量產(chǎn)
- 傳 NVIDIA 最快 2025 年量產(chǎn)三星 3nm GAA 工藝產(chǎn)品
- 北方華創(chuàng) 12 英寸 CCP 晶邊干法刻蝕設(shè)備已在客戶端實現(xiàn)量產(chǎn)，助力中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展
- 氮化鎵、氧化鎵量產(chǎn)最大難點竟是“生長”過程，國產(chǎn)“助長”技術(shù)已有突破
- 消息稱三星和 SK 海力士改進 HBM 封裝工藝，即將量產(chǎn) 12 層產(chǎn)品
