- 高壓快充上車(chē)趨勢(shì)加快，碳化硅成為絕佳選擇
- 高壓MOS管HKTD4N65可用于快充和逆變器等應(yīng)用
- 不管慢充快充，功率半導(dǎo)體已是必爭(zhēng)之地，國(guó)內(nèi)企業(yè)進(jìn)度如何？
- 國(guó)產(chǎn)企業(yè)實(shí)現(xiàn)氮化鎵降本增效，快充技術(shù)不再局限于消費(fèi)電子
- 多家車(chē)企布局碳化硅，高壓快充成為“必修課”？
- 氮化鎵激光芯片終于實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)，氮化鎵正在向快充以外的市場(chǎng)進(jìn)軍
- 高壓快充風(fēng)頭正盛，碳化硅需求擴(kuò)大，多個(gè)項(xiàng)目面臨落地
- 高壓快充和儲(chǔ)能安全成BMS最強(qiáng)動(dòng)能，國(guó)產(chǎn)替代前景廣闊
- 高壓快充的風(fēng)口：這種材料為何是首選，如何邁過(guò)成本門(mén)檻？
- 汽車(chē)芯片需求仍然強(qiáng)勁，碳化硅“助陣”快充賽道，國(guó)產(chǎn)自主指日可待
