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SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K4F2E3S4HA-TUCL 數(shù)據(jù)傳輸速度更快，而且能耗更低。速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V 溫度-40~+125°LPDDR4 200FBGA 封裝

SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K4F2E3S4HA-THCL 數(shù)據(jù)傳輸速度更快，而且能耗更低。速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V 溫度-40~+105°LPDDR4 200FBGA 封裝

SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K4F2E3S4HA-TFCL 數(shù)據(jù)傳輸速度更快，而且能耗更低。速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V 溫度-40~+95°LPDDR4 200FBGA 封裝

專業(yè)SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K4EBE304ED-EGCG 容量 32GB 速率2133Mbps 電壓1.8V~1.2V 溫度-25~+85°LPDDR3 178FBGA 封裝

專業(yè)SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K4E8E324ED-EGCG 容量 8GB 速率2133Mbps 電壓1.8V~1.2V 溫度-25~+85°LPDDR3 178FBGA 封裝

專業(yè)SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K4E6E304ED-EGCG 容量 16GB 速率2133Mbps 電壓1.8V~1.2V 溫度-25~+85°LPDDR3 178FBGA 封裝

專業(yè)SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K4EBE304EC-EGCG 容量 32GB 速率2133Mbps 電壓1.8V~1.2V 溫度-25~+85°LPDDR3 178FBGA 封裝

專業(yè)SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K4E8E324EB-EGCG 容量 8GB 速率2133Mbps 電壓1.8V~1.2V 溫度-25~+85°LPDDR3 178FBGA 封裝

專業(yè)SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K4E6E304EC-EGCG 容量16GB 速率2133Mbps 電壓1.8V~1.2V 溫度-25~+85°LPDDR3 178FBGA 封裝

SAMSUNG/三星KLUFG8RHDB-B0E1 儲存芯片 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，適合移動設(shè)備和汽車。512GB 1.2~2.5 V -25 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm G4 2Lane接口

SAMSUNG/三星KLUFG8RHDA-B2E1 儲存芯片 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，適合移動設(shè)備和汽車。512GB 1.2~2.5 V -25 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm G4 2Lane接口

SAMSUNG/三星KLUEG8UHDC-B0E1 儲存芯片 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，適合移動設(shè)備和汽車。256GB 1.2~2.5 V -25 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm G4 2Lane接口

SAMSUNG/三星KLUEG8UHDB-C2E1 儲存芯片 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，適合移動設(shè)備和汽車。256GB 1.2~2.5 V -25 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm G4 2Lane接口

SAMSUNG/三星KLUDG4UHDC-B0E1 儲存芯片 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，適合移動設(shè)備和汽車。128GB 1.2~2.5 V -25 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm G4 2Lane接口

SAMSUNG/三星KLUDG4UHDB-B2E1 儲存芯片 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，適合移動設(shè)備和汽車。128GB 1.2~2.5 V -25 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm G4 2Lane接口

SAMSUNG/三星KLMDG8JEUD-B04Q 閃存芯片 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設(shè)備。64GB 1.8 ~3.3 V -40 ~105 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

SAMSUNG/三星KLMDG8JEUD-B04P 閃存芯片 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設(shè)備。64GB 1.8 ~3.3 V -40 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

SAMSUNG/三星KLMCG8GESD-B04Q 閃存芯片 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設(shè)備。64GB 1.8 ~3.3 V -40 ~105 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

SAMSUNG/三星KLMCG8GESD-B04P 閃存芯片 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設(shè)備。64GB 1.8 ~3.3 V -40 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

SAMSUNG/三星KLMCG8GESD-B03Q 閃存芯片 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設(shè)備。64GB 1.8 ~3.3 V -40 ~105 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

SAMSUNG/三星KLMCG8GESD-B03P 閃存芯片 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設(shè)備。64GB 1.8 ~3.3 V -40 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

SAMSUNG/三星KLMCG4JEUD-B04Q 閃存芯片 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設(shè)備。64GB 1.8 ~3.3 V -40 ~105 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

SAMSUNG/三星KLMCG4JEUD-B04P 閃存芯片 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設(shè)備。64GB 1.8 ~3.3 V -40 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

SAMSUNG/三星KLMCG4JEUD-B04P 閃存芯片 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設(shè)備。64GB 1.8 ~3.3 V -40 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

SAMSUNG/三星KLMCG4JETD-B041 閃存芯片 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設(shè)備。64GB 1.8 ~3.3 V -25 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口