GBU808_GBU_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBU 類別：整流橋 最小包裝：500盒 參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1.1V@8A 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 800V 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 8A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
描述: 這款GBU封裝的整流橋器件，專為高效能電子系統(tǒng)設計。其卓越性能體現(xiàn)在800V的直流反向耐壓及8A的平均整流電流，確保在高電壓大電流環(huán)境下穩(wěn)定工作。正向壓降低至1.1V@8A，有效降低功耗，提升系統(tǒng)效率。而反向電流僅為5uA@800V，展現(xiàn)出出色的阻斷性能，適用于各類需要高品質半導體器件的應用場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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