IPP200N15N3G_TO-220_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50管 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/150.0V 參數(shù)3：ID/120.0A 參數(shù)4：RDON/9.5mR 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
IPP200N15N3G 是一款高性能N溝道MOSFET，采用經(jīng)典的TO-220封裝，適用于高功率電子設(shè)備。其關(guān)鍵特性包括最大漏源電壓VDSS高達150V，能承載強勁的120A連續(xù)漏極電流，而導(dǎo)通電阻RD(on)僅為9.5mR，確保在大電流操作時也能保持極低的功率損耗和高效能表現(xiàn)。此款MOS管廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、電池管理系統(tǒng)等高電流開關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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