IRF100S201_TO-263_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：800圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/260.0A 參數(shù)4：RDON/2.4mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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IRF100S201 是一款高性能N溝道MOSFET，采用TO-263封裝，專為大電流、高效率應(yīng)用設(shè)計(jì)。器件能在100V電壓下穩(wěn)定工作，并支持高達(dá)260A的連續(xù)電流，尤其適用于大型電源系統(tǒng)、設(shè)備開關(guān)和電源轉(zhuǎn)換。其卓越的導(dǎo)通電阻僅為2.4mΩ，有效降低功耗，大幅提升系統(tǒng)能效。IRF100S201 MOS管是您實(shí)現(xiàn)強(qiáng)大電力傳輸和節(jié)能環(huán)保的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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