Si2328DS-T1-GE3_SOT-23-3L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/5.0A 參數(shù)4：RDON/100.0mR 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
Si2328DS-T1-GE3 N溝道MOSFET，采用經濟高效的SOT-23-3L封裝，專為要求嚴苛的電力應用設計。器件具備強大性能，最高工作電壓VDSS達100V，連續(xù)電流承載能力高達5A，同時具有出色的100mR導通電阻，確保在高功率運行下也能保持低能耗。此款MOS管廣泛應用在電源管理、馬達驅動、逆變器等領域，是眾多工程師設計解決方案的首選組件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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