SIR401DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/18.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/3.4mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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SIR401DP-T1-GE3 P溝道MOS管采用緊湊型DFN5X6-8L封裝，具備出色的散熱性能和電路板空間利用率。該器件能在18V電壓下穩(wěn)定運(yùn)行，提供高達(dá)80A的連續(xù)電流，擁有超低3.4mΩ導(dǎo)通電阻，確保了高效能、低損耗的電力傳輸。廣泛應(yīng)用于高電流電源轉(zhuǎn)換、電動(dòng)車充電系統(tǒng)等場合，是高性能、節(jié)能設(shè)計(jì)的理想組件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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