AON6508_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/150.0A 參數(shù)4：RDON/2.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
AON6508 N溝道MOS管選用先進的DFN5X6-8L封裝，兼顧小巧體積與高效性能。其額定電壓VDSS為30V，最大連續(xù)漏極電流高達150A，輕松應(yīng)對高電壓大電流應(yīng)用場景。尤為突出的是，器件導(dǎo)通電阻僅為2mΩ，確保在高負載條件下仍能維持低功耗和高效能運作。適用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域，是您優(yōu)化電路設(shè)計、提升系統(tǒng)效能的理想半導(dǎo)體組件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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