AON6382_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/150.0A 參數(shù)4：RDON/2.0mR 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
AON6382 N溝道MOS管采用緊湊型DFN5X6-8L封裝，專為現(xiàn)代電子設備的小型化設計需求打造。該器件支持最大30V的漏源電壓，能夠承受高達150A的連續(xù)漏極電流，表現(xiàn)出卓越的電流處理能力。其突出特點是導通電阻僅2mΩ，有效降低功率損耗，提升系統(tǒng)能效，廣泛適用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、開關電源等高功率應用場合，是實現(xiàn)高性能電路設計的理想半導體元件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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