SI9926CDY-T1-GE3_SOP-8_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N+N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/8.0A 參數(shù)4：RDON/13.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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SI9926CDY-T1-GE3 型號(hào)MOS管采用創(chuàng)新NN溝道工藝，封裝在節(jié)省空間的SOP-8封裝形式中，專為現(xiàn)代高集成度電子設(shè)備設(shè)計(jì)。在20V額定電壓VDSS下，器件可穩(wěn)定承載8A的連續(xù)漏極電流ID，并配備超低的13mR導(dǎo)通電阻RD(on)，實(shí)現(xiàn)高效率與低功耗運(yùn)行。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域，是優(yōu)化系統(tǒng)性能和節(jié)能效果的理想半導(dǎo)體器件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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