NDS355N_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.0A 參數(shù)4：RDON/29.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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NDS355N 是一款采用SOT-23封裝的N溝道MOSFET，以緊湊體積實(shí)現(xiàn)高性能輸出。它支持30V的最大漏源電壓(VDSS)，并在滿負(fù)荷下可持續(xù)提供4A的漏極電流(ID)，展現(xiàn)了強(qiáng)大的電流處理能力。此外，29mΩ的超低導(dǎo)通電阻(RD(on))確保了優(yōu)異的能源效率，減少了不必要的能量損耗。此款MOS管適用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動、負(fù)載開關(guān)等多元領(lǐng)域，是高集成度、高效能電子設(shè)計的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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